|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Рекомбинация в бесщелевой квантовой яме в гетероструктуре HgTe/CdHgTe
Физика твердого тела, 64:2 (2022), 173–178
-
Температурная зависимость уровня Ферми в узкозонных объемных пленках HgCdTe при различной концентрации вакансий ртути
Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022), 465–471
-
Thermal activation of valley-orbit states of neutral magnesium in silicon
Физика и техника полупроводников, 55:6 (2021), 500
-
Оптические сечения поглощения и силы осцилляторов двойного донора магния в кремнии
Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021), 299–303
-
Релаксация возбужденных состояний мышьяка в деформированном германии
Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1145–1149
-
Перестройка спектра терагерцового стимулированного излучения при внутрицентровом оптическом возбуждении
одноосно-деформированного Si : Bi
Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 816–821
-
Стимулированное терагерцовое излучение доноров висмута в одноосно-деформированном кремнии при внутрицентровом оптическом возбуждении
Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1285–1288
-
Химический сдвиг и энергия обменного взаимодействия $1s$ состояний доноров магния в кремнии. Возможность стимулированного излучения
Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1263–1266
-
Расчет состояний многозарядных примесно-дефектных центров в эпитаксиальных слоях Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te
Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1257–1262
-
Поляризация терагерцового стимулированного излучения доноров в кремнии
Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1701–1705
-
Поглощение и излучение в терагерцовом диапазоне частот при фотоионизации акцепторов в одноосно-деформированном кремнии
Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1479–1483
-
Спонтанное излучение терагерцового диапазона частот при оптическом возбуждении доноров в SiGe/Si и одноосно-деформированном объемном кремнии
Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015), 15–20
-
Лазеры на мелких донорах в одноосно-деформированном кремнии
Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013), 199–205
© , 2026