Мынбаев Карим Джафарович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Оптические свойства эпитаксиальных пленок Hg$_{0.3}$Cd$_{0.7}$Te, легированных индием
   
   Физика твердого тела, 67:5 (2025),  805–809
2. Термический отжиг HgCdTe с большим содержанием CdTe: структурные и оптические исследования
   
   Физика твердого тела, 67:1 (2025),  22–27
3. Инфракрасное фотоотражение эпитаксиальных пленок Cd$_{0.3}$Hg$_{0.7}$Te
   
   Физика и техника полупроводников, 58:10 (2024),  544–547
4. Характеризация широкозонных слоев в лазерных структурах на основе CdHgTe
   
   Физика твердого тела, 65:3 (2023),  411–414
5. Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев Hg$_{0.3}$Cd$_{0.7}$Te и Hg$_{0.7}$Cd$_{0.3}$Te
   
   Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  640–643
6. Фотолюминесценция эпитаксиальных пленок Cd$_{0.3}$Hg$_{0.7}$Te, легированных мышьяком
   
   Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  491–494
7. Стимулированное излучение в гетероструктурах InAs/InAsSb/InAsSbP с асимметричным электронным ограничением
   
   Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  876–881
8. Сравнительный анализ эффективности электролюминесценции в гетероструктурах I и II типа на основе узкозонных соединений А$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$
   
   Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022),  479–485
9. Оптические и структурные свойства эпитаксиальных слоев Hg$_{0.7}$Cd$_{0.3}$Te
   
   Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1040–1044
10. Спектральные и электрические свойства светодиодных гетероструктур с активной областью на основе InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  682–687
11. Оптические свойства квазиобъемных кристаллов нитрида галлия со структурой высокоориентированной текстуры
    
    Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  554–558
12. Исследование вольт-амперных характеристик светодиодных гетероструктур на основе InAsSb в диапазоне температур 4.2–300 K
    
    Физика и техника полупроводников, 55:6 (2021),  502–506
13. Подавление температурной зависимости длины волны излучения в светодиодных структурах со ступенчатым гетеропереходом II типа InAsSb/InAsSbP
    
    Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021),  277–281
14. Оптические и структурные свойства твердых растворов HgCdTe с большим содержанием CdTe
    
    Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1302–1308
15. Экспериментальное исследование и моделирование спектральных характеристик светодиодных гетероструктур с активной областью из InAs
    
    Письма в ЖТФ, 46:3 (2020),  51–54
16. Исследование возможностей метода газофазной эпитаксии из металлорганических соединений для изготовления тонких слоев InAs/GaSb
    
    ЖТФ, 89:10 (2019),  1592–1597
17. Определение параметров латерального и нестационарного шнурового токов в цилиндрическом халькогенидном стеклообразном полупроводнике
    
    Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1669–1673
18. Время жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках с близкими значениями запрещенной зоны и спин-орбитального отщепления
    
    Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  450–455
19. Исследование разупорядочения в твердых растворах теллуридов кадмия-ртути оптическими методами
    
    Письма в ЖТФ, 45:11 (2019),  24–27
20. Влияние флуктуаций состава на излучательную рекомбинацию в узкозонных полупроводниковых твердых растворах
    
    ЖТФ, 87:3 (2017),  419–426
21. Электролюминесценция светодиодных гетероструктур InAs/InAs(Sb)/InAsSbP в диапазоне температур 4.2–300 K
    
    Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  247–252
22. Дефекты в гетероэпитаксиальных структурах теллуридов кадмия и ртути, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках из кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  208–211
23. Формирование структур графит/SiC методом термического разложения карбида кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016),  138–142
24. Температурная зависимость времени жизни носителей заряда в узкощелевых твердых растворах Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te: учет излучательной рекомбинации
    
    Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015),  1206–1211
25. Температурная зависимость времени жизни носителей заряда в узкощелевых твердых растворах Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te : учет оже-процессов
    
    Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015),  444–448
26. Акцепторные состояния в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией
    
    Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015),  379–384
27. Оптические и термические свойства люминофоров на основе свинцово-силикатного стекла для мощных белых светодиодов
    
    Письма в ЖТФ, 41:21 (2015),  38–44
28. Особенности хлорид-гидридной эпитаксии нитридных материалов на подложке кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014),  1573–1577
29. Эффект самоструктурирования пластин монокристаллического кремния в условиях индукционного нагрева в вакууме
    
    Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014),  364–368
30. Фотолюминесценция твeрдых растворов CdHgTe, подвергнутых обработке низкоэнергетическими ионами
    
    Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014),  207–211
31. Дефекты в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe/Si и их поведение в условиях формирования имплантационных $p^+$–$n$-фотодиодных структур
    
    Письма в ЖТФ, 40:16 (2014),  65–72
32. Высокотемпературная фотолюминесценция твердых растворов CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией
    
    ЖТФ, 83:10 (2013),  147–150
33. Влияние светорассеяния в оптических покрытиях на потери энергии в светодиодных устройствах
    
    Письма в ЖТФ, 39:24 (2013),  1–8
34. Анализ спектров фотопроводимости при большой инерционности фотоответа
    
    ЖТФ, 82:9 (2012),  119–122
35. Электрические и оптические свойства пленок CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на кремниевых подложках
    
    Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1363–1367
36. Оптические переходы в квантовых ямах на основе Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te и их анализ с учетом особенностей зонной структуры
    
    Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012),  792–797
37. Релаксация радиационно-нарушенного слоя, формирующегося при ионно-плазменном травлении твердых растворов CdHgTe
    
    Письма в ЖТФ, 38:24 (2012),  10–17
38. Коллективные эффекты в системе структурных дефектов нитрида галлия в условиях гомоэпитаксии на пористой подложке
    
    Письма в ЖТФ, 38:9 (2012),  31–36
39. Диффузия в пористом карбиде кремния
    
    Физика твердого тела, 53:5 (2011),  885–891
40. Фотоэлектрические свойства пористых гетероструктур GaN/SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1369–1372
41. Исследование структуры дефектов в пленках Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te, выращенных жидкофазной эпитаксией, с помощью низкоэнергетической ионной обработки
    
    Физика и техника полупроводников, 45:9 (2011),  1166–1170
42. Фотолюминесценция гетероструктур на основе Hg$_{1-x}$Cd$_x$Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 45:7 (2011),  900–907
43. Фотолюминесценция наногетероструктур на основе CdHgTe
    
    Письма в ЖТФ, 36:23 (2010),  70–77
44. Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев CdHgTe, выращенных на подложках Si
    
    Письма в ЖТФ, 36:23 (2010),  39–46