Семакова Антонина Александровна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Стимулированное излучение в гетероструктурах InAs/InAsSb/InAsSbP с асимметричным электронным ограничением
   
   Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  876–881
2. Сравнительный анализ эффективности электролюминесценции в гетероструктурах I и II типа на основе узкозонных соединений А$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$
   
   Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022),  479–485
3. Спектральные и электрические свойства светодиодных гетероструктур с активной областью на основе InAs
   
   Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  682–687
4. Исследование вольт-амперных характеристик светодиодных гетероструктур на основе InAsSb в диапазоне температур 4.2–300 K
   
   Физика и техника полупроводников, 55:6 (2021),  502–506
5. Подавление температурной зависимости длины волны излучения в светодиодных структурах со ступенчатым гетеропереходом II типа InAsSb/InAsSbP
   
   Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021),  277–281
6. Экспериментальное исследование и моделирование спектральных характеристик светодиодных гетероструктур с активной областью из InAs
   
   Письма в ЖТФ, 46:3 (2020),  51–54
7. Время жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках с близкими значениями запрещенной зоны и спин-орбитального отщепления
   
   Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  450–455
8. Электролюминесценция светодиодных гетероструктур InAs/InAs(Sb)/InAsSbP в диапазоне температур 4.2–300 K
   
   Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  247–252