Калыгина Вера Михайловна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Фотоэлектрические свойства аморфных пленок Ga$_2$O$_3$, легированных фосфором и селеном
   
   ЖТФ, 96:1 (2026),  161–166
2. Влияние термического отжига на свойства гетероструктур Ga$_2$O$_3$/GaAs:Cr
   
   ЖТФ, 93:11 (2023),  1631–1636
3. Фотодиоды на основе структур Ga$_2$O$_3$/$n$-GaAs, способные работать в автономном режиме
   
   Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  928–932
4. Влияние электродов на параметры солнечно-слепых детекторов УФ излучения
   
   Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021),  264–268
5. Влияние ультрафиолетового излучения и электрического поля на проводимость структур на основе $\alpha$- и $\varepsilon$-Ga$_{2}$O$_{3}$
   
   Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1035–1040
6. Солнечно-слепые детекторы УФ-излучения на основе пленок $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$
   
   Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020),  575–579
7. Свойства резистивных структур на основе полиморфных фаз оксида галлия
   
   Письма в ЖТФ, 46:17 (2020),  33–36
8. Влияние режимов работы на отклик сенсоров аммиака на основе пленок диоксида олова
   
   Письма в ЖТФ, 46:10 (2020),  21–24
9. Влияние материала подложки на свойства пленок оксида галлия и структур на его основе
   
   Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  468–473
10. Структура и свойства пленок оксида галлия, полученных высокочастотным магнетронным напылением
    
    Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  411–417
11. Проводимость гетеропереходов Ga$_{2}$O$_{3}$–GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  154–160
12. Связь структурно-фазовых изменений в пленках оксида титана с электрическими и фотоэлектрическими характеристиками структур TiO$_{2}$–Si
    
    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1178–1184
13. Механизм проводимости пленок оксида титана и структур металл–TiO$_{2}$–Si
    
    Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016),  1036–1040
14. Глубокие центры в структурах TiO$_2$-Si
    
    Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1036–1042
15. Фотоэлектрические характеристики структур металл – Ga$_2$O$_3$–GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015),  357–363
16. Влияние термического отжига и воздействия кислородной плазмы на свойства структур TiO$_2$–Si
    
    Физика и техника полупроводников, 48:7 (2014),  989–994
17. Свойства пленок TiO$_2$ на кремниевых подложках
    
    Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014),  759–762
18. Влияние отжига в аргоне на свойства пленок оксида галлия, полученных термическим напылением
    
    Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1137–1143
19. Пленки оксида галлия, полученные методом термического напыления
    
    Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013),  598–603
20. Электрические характеристики структур $n$-GaAs–анодная пленка Ga$_2$O$_3$–металл
    
    Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012),  1027–1031
21. Анодные пленки Ga$_2$O$_3$. Влияние термического отжига на свойства пленок
    
    Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012),  278–284
22. Анодные пленки Ga$_2$O$_3$
    
    Физика и техника полупроводников, 45:8 (2011),  1130–1135
23. Влияние кислородной плазмы на свойства пленок оксида тантала
    
    Физика и техника полупроводников, 44:9 (2010),  1266–1273
24. Влияние лазерного отжига на электрические характеристики МДП структур на основе GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 26:6 (1992),  1120–1123