RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Калюжный Николай Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Контактные системы “мостикового” типа в InGaAs/InP фотоэлектрических преобразователях

    ЖТФ, 96:2 (2026),  345–350
  2. Влияние типа подложки-носителя на резистивные и оптические свойства AlGaAs/GaInAs светоизлучающих инфракрасных диодов

    ЖТФ, 96:2 (2026),  330–335
  3. Направленность вывода излучения из кольцевых микролазеров с нарушенной вращательной симметрией

    Письма в ЖТФ, 52:7 (2026),  27–30
  4. Влияние параметров $p$–$n$-переходов на оптимизацию конструкции контактов в фотоэлектрических преобразователях лазерного излучения

    Письма в ЖТФ, 52:4 (2026),  8–11
  5. AlGaAs-субэлементы для гибридных А$^3$В$^5$//Si солнечных элементов

    Письма в ЖТФ, 52:3 (2026),  49–52
  6. Фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения $\lambda$ = 1064 нм на основе GaInAsP/InP

    Физика и техника полупроводников, 59:8 (2025),  447–451
  7. Исследование излучения микродискового лазера, монолитно интегрированного с оптическим волноводом

    Физика и техника полупроводников, 59:7 (2025),  388–391
  8. Гибридные каскадные солнечные элементы на основе бондинга материалов А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$ и кремния

    Физика и техника полупроводников, 59:6 (2025),  328–331
  9. Метаморфные InGaAs/GaAs-гетероструктуры для радиационно стойких фотопреобразователей лазерного излучения

    Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025),  291–293
  10. Влияние резистивных параметров фотоэлектрических преобразователей на карты электролюминесценции и вольт-амперные характеристики

    Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025),  281–285
  11. Определение дисбаланса фотогенерированных токов в многопереходных фотопреобразователях лазерного излучения

    Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025),  219–222
  12. Увеличение эффективности ввода оптической мощности в AlGaAs/GaAs фотоэлектрических преобразователях лазерного излучения

    Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025),  209–213
  13. Экспериментально-аналитическое исследование проблемы компенсации механических напряжений в системе InGaAs множественных квантовых ям для излучателей ближнего инфракрасного диапазона

    Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025),  190–194
  14. Сегнетоэлектрические свойства твердых растворов (Al,Ga)InP$_2$

    Физика и техника полупроводников, 59:3 (2025),  130–135
  15. Микродисковые лазеры с вынесенной контактной площадкой мостиковой конструкции, сформированные жидкостным химическим травлением

    Физика и техника полупроводников, 59:1 (2025),  37–42
  16. Управляемое током и светом переключение длин волн лазерной генерации в лазерах на квантовых точках InAs/InGaAs/GaAs для использования в нейроморфной фотонике

    Письма в ЖТФ, 51:21 (2025),  45–49
  17. Тандемные GaInP/Ga(In)As-структуры для трехпереходных гибридных GaInP/Ga(In)As//Si солнечных элементов

    Письма в ЖТФ, 51:13 (2025),  40–43
  18. Формирование световыводящей поверхности инфракрасных (850 nm) светоизлучающих диодов

    ЖТФ, 94:6 (2024),  888–893
  19. Взаимосвязь конструкций и эффективности инфракрасных светоизлучающих диодов на основе квантово-размерных гетероструктур AlGaAs

    ЖТФ, 94:4 (2024),  632–637
  20. Определение тока насыщения электролюминесценции светодиодов с набором квантовых ям

    Оптика и спектроскопия, 132:12 (2024),  1214–1218
  21. Управление параметрами InGaAs квантовых ям в активной области светодиодов ближнего инфракрасного диапазона (850–960 nm)

    Оптика и спектроскопия, 132:11 (2024),  1146–1149
  22. Влияние степени атомного упорядочения на сегнетоэлектрические свойства твердых растворов GaInP$_2$

    Оптика и спектроскопия, 132:11 (2024),  1127–1130
  23. Трехпараметрическая трубковая модель растекания тока в солнечных элементах

    Физика и техника полупроводников, 58:10 (2024),  573–576
  24. Исследование вхождения атомов V группы в арсенид-фосфидные твердые растворы, выращенные методом газофазной эпитаксии при использовании (CH$_3$)$_3$As в качестве источника мышьяка

    Физика и техника полупроводников, 58:10 (2024),  541–543
  25. Оптическое усиление в волноводных гетероструктурах спектрального диапазона 1010–1075 нм с активной областью на основе InGaAs квантовых яма-точек

    Физика и техника полупроводников, 58:6 (2024),  313–317
  26. Микродисковые лазеры на основе InGaAs/GaAs-квантовых точек, монолитно-интегрированные с волноводом

    Физика и техника полупроводников, 58:2 (2024),  107–113
  27. Зависимость длины волны генерации от оптических потерь в лазере на квантовых точках

    Письма в ЖТФ, 50:21 (2024),  57–60
  28. Мощный субнаносекундный модуль на основе $p$–$i$–$n$ AlGaAs/GaAs-фотодиодов

    Письма в ЖТФ, 50:19 (2024),  5–8
  29. Влияние свойств тыльного отражателя на характеристики инфракрасных светоизлучающих диодов на основе AlGaAs/GaAs-гетероструктуры

    Письма в ЖТФ, 50:18 (2024),  22–26
  30. Фотоприемники с длинноволновой границей 2.4 $\mu$m на основе метаморфных InGaAs/InP-гетероструктур, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 50:17 (2024),  15–18
  31. Полудисковые микролазеры с полукольцевым контактом на основе InGaAs/GaAs квантовых яма-точек с высокой выходной мощностью

    Письма в ЖТФ, 50:6 (2024),  23–27
  32. Токовый инвариант как метод поиска оптимальной ширины запрещенной зоны субэлементов многопереходных солнечных элементов

    Письма в ЖТФ, 50:5 (2024),  32–34
  33. Исследование технологии изготовления мощных ИК (850 nm) светодиодов, получаемых методом переноса AlGaAs–GaAs-гетероструктуры на подложку-носитель

    ЖТФ, 93:1 (2023),  170–174
  34. Исследование высокотемпературной генерации микродисковых лазеров с оптически связанным волноводом

    Оптика и спектроскопия, 131:11 (2023),  1483–1485
  35. Определение температуры и теплового сопротивления полудискового лазерного диода методом измерения импульсных вольт-амперных характеристик

    Физика и техника полупроводников, 57:9 (2023),  767–772
  36. Влияние температуры на ток через различные рекомбинационные каналы в GaAs-солнечных элементах с GaInAs-квантовыми точками

    Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  700–705
  37. Пространственно-селективная эпитаксия квантовых точек InP/GaInP$_2$ из металлоорганических соединений

    Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  620–623
  38. Эпитаксиальные гетероструктуры активной области светодиодов ближнего инфракрасного диапазона

    Физика и техника полупроводников, 57:7 (2023),  538–541
  39. Широкополосное излучение суперлюминесцентных диодов на основе многослойных структур с квантовыми яма-точками InGaAs/GaAs

    Физика и техника полупроводников, 57:4 (2023),  301–307
  40. Модель быстродействия волноводного фотодиода с квантовыми точками

    Физика и техника полупроводников, 57:3 (2023),  215–220
  41. Исследование $p$–$i$–$n$-фотодетектора с поглощающей средой на основе InGaAs/GaAs квантовых яма-точек

    Физика и техника полупроводников, 57:3 (2023),  202–206
  42. Влияние дисбаланса фотогенерированных токов на вольт-амперные характеристики многопереходных солнечных элементов

    Письма в ЖТФ, 49:23 (2023),  38–41
  43. Высокоэффективные GaInP/GaAs-фотопреобразователи лазерной линии 600 nm

    Письма в ЖТФ, 49:6 (2023),  32–34
  44. Исследование квантовых ям InP/GaP, полученных методом газофазной эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 49:6 (2023),  16–20
  45. Связь длины волны и усиления в лазерах на квантовых ямах, точках и яма-точках

    Физика и техника полупроводников, 56:12 (2022),  1144–1147
  46. Температурные зависимости излучательного и безызлучательного времени жизни носителей в квантовых яма-точках InGaAs

    Физика и техника полупроводников, 56:10 (2022),  993–996
  47. Внутренние потери в инжекционных лазерах на основе квантовых яма-точек

    Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  922–927
  48. Бимодальность в спектрах электролюминесценции InGaAs квантовых яма-точек

    Физика и техника полупроводников, 56:1 (2022),  97–100
  49. Фотопреобразователь лазерного излучения на основе GaInP с КПД 46.7% на длине волны 600 nm

    Письма в ЖТФ, 48:5 (2022),  24–26
  50. Быстродействующие фотодетекторы на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs

    Письма в ЖТФ, 48:4 (2022),  32–35
  51. Сверхвысокое модовое усиление в инжекционных полосковых лазерах и микролазерах на основе квантовых точек InGaAs/GaAs

    Квантовая электроника, 52:7 (2022),  593–596
  52. Высокоэффективные (EQE = 37.5%) инфракрасные (850 нм) светодиоды с брэгговским и зеркальным отражателями

    Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1218–1222
  53. Исследование методов текстурирования светодиодов на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs

    Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1086–1090
  54. Инфракрасные (850 нм) светодиоды с множественными квантовыми ямами InGaAs и “тыльным” отражателем

    Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  699–703
  55. Влияние внутренних отражателей на эффективность инфракрасных (850 нм) светодиодов

    Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  614–617
  56. Влияние конструкции активной области и волновода на характеристики лазеров на основе структур квантовые ямы-точки InGaAs/GaAs

    Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021),  256–263
  57. Исследование фотоэлектрических характеристик GaAs-фотопреобразователей при различном расположении массива квантовых точек InGaAs в $i$-области

    Письма в ЖТФ, 47:21 (2021),  28–31
  58. Увеличение оптической мощности микродисковых лазеров InGaAs/GaAs, перенесенных на кремниевую подложку методом термокомпрессии

    Письма в ЖТФ, 47:20 (2021),  3–6
  59. Увеличение эффективности трехпереходных солнечных элементов за счет метаморфного InGaAs-субэлемента

    Письма в ЖТФ, 47:18 (2021),  51–54
  60. Формирование гетероструктур GaP/Si-фотопреобразователей с помощью комбинации методов МОС-гидридной эпитаксии и атомно-слоевого плазмохимического осаждения

    Письма в ЖТФ, 47:14 (2021),  51–54
  61. Энергопотребление при высокочастотной модуляции неохлаждаемого InGaAs/GaAs/AlGaAs-микродискового лазера

    Письма в ЖТФ, 47:13 (2021),  28–31
  62. Увеличение коэффициента полезного действия фотопреобразователей лазерного излучения диапазона 520–540 nm на основе гетероструктур GaInP/GaAs

    Письма в ЖТФ, 47:6 (2021),  29–31
  63. Модули фотоэлектрических преобразователей лазерного ($\lambda$ = 809–850 nm) излучения

    ЖТФ, 90:10 (2020),  1764–1768
  64. Сравнительный анализ оптических и физических свойств квантовых точек InAs, In$_{0.8}$Ga$_{0.2}$As и фотоэлектрических преобразователей на их основе

    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1079–1087
  65. Предельная температура генерации микродисковых лазеров

    Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020),  570–574
  66. Влияние легирования слоев брэгговских отражателей на электрические свойства InGaAs/GaAs метаморфных фотопреобразователей

    Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  400–407
  67. Быстродействующие фотодетекторы оптического диапазона 950–1100 nm на основе In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As/GaAs-наноструктур квантовая яма-точки

    Письма в ЖТФ, 46:24 (2020),  11–14
  68. Микрооптопара на базе микродискового лазера и фотодетектора с активной областью на основе квантовых ям-точек

    Письма в ЖТФ, 46:13 (2020),  7–10
  69. Влияние числа рядов GaInAs-квантовых объектов на ток насыщения GaAs-фотопреобразователей

    Письма в ЖТФ, 46:12 (2020),  30–33
  70. Влияние саморазогрева на модуляционные характеристики микродискового лазера

    Письма в ЖТФ, 46:11 (2020),  3–7
  71. Определение по спектру фототока ширины запрещенной зоны Ga$_{1-x}$In$_{x}$As $p$–$n$-переходов на метаморфном буфере

    Письма в ЖТФ, 46:7 (2020),  29–31
  72. Экспериментальное и теоретическое исследование спектров фоточувствительности структур с квантовыми ямами-точками In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As оптического диапазона 900–1050 nm

    Письма в ЖТФ, 46:5 (2020),  3–6
  73. Противодействующий фотовольтаический эффект в верхней межгенераторной части трехпереходных GaInP/GaAs/Ge солнечных элементов

    Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1568–1572
  74. Фотолюминесценция с временным разрешением наноструктур InGaAs различной квантовой размерности

    Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1520–1526
  75. Модуль фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения ($\lambda$ = 1064 нм)

    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1135–1139
  76. Оценка вклада поверхностной рекомбинации в микродисковых лазерах с помощью высокочастотной модуляции

    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1122–1127
  77. Увеличение фототока Ga(In)As-субэлемента в многопереходных солнечных элементах GaInP/Ga(In)As/Ge

    Письма в ЖТФ, 45:24 (2019),  41–43
  78. Аномалии в фотовольтаических характеристиках многопереходных солнечных элементов при сверхвысоких концентрациях солнечного излучения

    Письма в ЖТФ, 45:21 (2019),  37–39
  79. Особенности вольт-амперной характеристики микродисковых лазеров на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs

    Письма в ЖТФ, 45:19 (2019),  37–39
  80. Потребление энергии для высокочастотного переключения микродискового лазера с квантовыми точками

    Письма в ЖТФ, 45:16 (2019),  49–51
  81. Лазеры на основе квантовых яма-точек, излучающие в оптических диапазонах 980 и 1080 nm

    Письма в ЖТФ, 45:4 (2019),  42–45
  82. Снижение внутренних потерь и теплового сопротивления в лазерных диодах со связанными волноводами

    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1351–1356
  83. Многослойные InGaAs-гетероструктуры “квантовая яма-точки” в фотопреобразователях на основе GaAs

    Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1131–1136
  84. Рекомбинация в GaAs $p$-$i$-$n$-структурах с InGaAs квантово-размерными объектами: моделирование и закономерности

    Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1126–1130
  85. In$_{0.8}$Ga$_{0.2}$As квантовые точки для GaAs-фотопреобразователей: особенности роста, исследование методом металлорганической газофазной эпитаксии, и свойства

    Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  729–735
  86. Density control of InP/GaInP quantum dots grown by metal-organic vapor-phase epitaxy

    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  477
  87. Бимодальность в массивах гибридных квантово-размерных гетероструктур In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As, выращенных на подложках GaAs

    Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  57–62
  88. Просветление поверхности субэлемента на основе германия в каскадных GaInP/GaAs/Ge-солнечных элементах

    Письма в ЖТФ, 44:22 (2018),  95–101
  89. Оптические свойства InGaAs/InAlAs метаморфных наногетероструктур для фотопреобразователей лазерного и солнечного излучения

    Письма в ЖТФ, 44:19 (2018),  50–58
  90. Мощностные характеристики и температурная зависимость угловой расходимости излучения лазеров с приповерхностной активной областью

    Письма в ЖТФ, 44:15 (2018),  46–51
  91. Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах Ga$_{x}$In$_{1-x}$P на их структурные и морфологические свойства

    Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1131–1137
  92. Квантовые точки InAs, выращенные в метаморфной матрице In$_{0.25}$Ga$_{0.75}$As методом МОС-гидридной эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  704–710
  93. Оптические свойства гибридных наноструктур “квантовая яма–точки”, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  372–377
  94. Оптимизация структурных и ростовых параметров метаморфных InGaAs-фотопреобразователей, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  94–100
  95. Фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs

    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1242–1246
  96. Оптические свойства гибридных квантово-размерных структур с высоким коэффициентом поглощения

    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1202–1207
  97. Растекание тока в солнечных элементах: двухпараметрическая трубковая модель

    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  987–992
  98. Гетероструктуры метаморфных GaInAs-фотопреобразователей, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs

    Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016),  525–530
  99. Определение технологических параметров роста в системе InAs–GaAs для синтеза “многомодальных” квантовых точек InAs методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений

    Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1136–1143
  100. Пространственно-контролируемый рост одиночных квантовых точек InP

    Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1120–1123
  101. Влияние бимодальности массива квантовых точек на оптические свойства и пороговые характеристики лазеров на их основе

    Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1115–1119
  102. Влияние условий взаимодействия зонда атомно-силового микроскопа с поверхностью $n$-GaAs на эффект трибоэлектризации

    Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1083–1087
  103. Оценка потенциальной эффективности многопереходного солнечного элемента при предельном балансе фотогенерированных токов

    Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015),  682–687
  104. Разностный способ получения темновой вольт-амперной характеристики и ее виды для остаточной (негенерирующей) части многопереходного солнечного элемента

    Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014),  671–676
  105. Концентраторные фотоэлектрические модули со спектральным расщеплением света с солнечными элементами на основе структур AlGaAs/GaAs/GaSb и GaInP/InGaAs(P)

    ЖТФ, 83:7 (2013),  106–110
  106. Локальная трибоэлектризация поверхности $n$-GaAs с помощью зонда атомно-силового микроскопа

    Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1181–1184
  107. Picosecond internal $Q$-switching mode correlates with laser diode breakdown voltage

    Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  383–385
  108. Фотоэлектрическое определение последовательного сопротивления многопереходных солнечных элементов

    Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012),  1074–1081
  109. Влияние положения массива InGaAs квантовых точек на спектральные характеристики AlGaAs/GaAs фотопреобразователей

    Письма в ЖТФ, 38:22 (2012),  43–49
  110. Многопереходные солнечные элементы с брэгговскими отражателями на основе структур GaInP/GaInAs/Ge

    Физика и техника полупроводников, 44:12 (2010),  1649–1654
  111. Германиевые субэлементы для многопереходных фотоэлектрических преобразователей GaInP/GaInAs/Ge

    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1568–1576
  112. Исследование диффузионных длин неосновных носителей заряда в фотоактивных слоях многопереходных солнечных элементов

    Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010),  1118–1123

© МИАН, 2026