Корнышов Григорий Олегович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Пространственное распределение тока в полупроводниковых оптических усилителях с гребневым волноводом и активной областью на основе квантовых яма-точек
   
   Оптика и спектроскопия, 133:10 (2025),  1063–1067
2. Спектральные и пространственные характеристики излучения торцевых лазерных диодов на основе квантовых ям InGaAs/GaAs со сверхшироким волноводом
   
   Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025),  310–313
3. Управляемое током и светом переключение длин волн лазерной генерации в лазерах на квантовых точках InAs/InGaAs/GaAs для использования в нейроморфной фотонике
   
   Письма в ЖТФ, 51:21 (2025),  45–49
4. Генерация замкнутой моды в мощных суперлюминесцентных диодах со скользящим полосковым волноводом
   
   Письма в ЖТФ, 51:10 (2025),  18–21
5. Оптическое усиление в волноводных гетероструктурах спектрального диапазона 1010–1075 нм с активной областью на основе InGaAs квантовых яма-точек
   
   Физика и техника полупроводников, 58:6 (2024),  313–317
6. Спектральные характеристики оптически связанной пары полосковых лазеров на квантовых точках InAs/InGaAs/GaAs
   
   Письма в ЖТФ, 50:22 (2024),  57–60
7. Вклад связанных волноводов в сопротивление гетероструктуры мощных торцевых лазеров InGaAs/GaAs/AlGaAs
   
   Письма в ЖТФ, 50:2 (2024),  18–22
8. Широкополосное излучение суперлюминесцентных диодов на основе многослойных структур с квантовыми яма-точками InGaAs/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 57:4 (2023),  301–307
9. Измерение теплового сопротивления торцевых полупроводниковых лазеров по спектрам спонтанного излучения
   
   Физика и техника полупроводников, 56:12 (2022),  1148–1153
10. Связь длины волны и усиления в лазерах на квантовых ямах, точках и яма-точках
    
    Физика и техника полупроводников, 56:12 (2022),  1144–1147
11. Внутренние потери в инжекционных лазерах на основе квантовых яма-точек
    
    Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  922–927
12. Температурные характеристики кольцевых лазеров с активной областью на основе InAs/InGaAs/GaAs-квантовых точек оптического диапазона 1.3 $\mu$m
    
    Письма в ЖТФ, 48:18 (2022),  36–40
13. Влияние конструкции активной области и волновода на характеристики лазеров на основе структур квантовые ямы-точки InGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021),  256–263
14. Модификация гребневых волноводов полупроводниковых лазеров фокусированным ионным пучком
    
    Письма в ЖТФ, 47:24 (2021),  51–54
15. Особенности вольт-амперной характеристики микродисковых лазеров на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 45:19 (2019),  37–39
16. Лазеры на основе квантовых яма-точек, излучающие в оптических диапазонах 980 и 1080 nm
    
    Письма в ЖТФ, 45:4 (2019),  42–45