Паюсов Алексей Сергеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Пространственное распределение тока в полупроводниковых оптических усилителях с гребневым волноводом и активной областью на основе квантовых яма-точек
   
   Оптика и спектроскопия, 133:10 (2025),  1063–1067
2. Спектральные и пространственные характеристики излучения торцевых лазерных диодов на основе квантовых ям InGaAs/GaAs со сверхшироким волноводом
   
   Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025),  310–313
3. Генерация замкнутой моды в мощных суперлюминесцентных диодах со скользящим полосковым волноводом
   
   Письма в ЖТФ, 51:10 (2025),  18–21
4. Оптическое усиление в волноводных гетероструктурах спектрального диапазона 1010–1075 нм с активной областью на основе InGaAs квантовых яма-точек
   
   Физика и техника полупроводников, 58:6 (2024),  313–317
5. Вклад связанных волноводов в сопротивление гетероструктуры мощных торцевых лазеров InGaAs/GaAs/AlGaAs
   
   Письма в ЖТФ, 50:2 (2024),  18–22
6. Широкополосное излучение суперлюминесцентных диодов на основе многослойных структур с квантовыми яма-точками InGaAs/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 57:4 (2023),  301–307
7. Измерение теплового сопротивления торцевых полупроводниковых лазеров по спектрам спонтанного излучения
   
   Физика и техника полупроводников, 56:12 (2022),  1148–1153
8. Связь длины волны и усиления в лазерах на квантовых ямах, точках и яма-точках
   
   Физика и техника полупроводников, 56:12 (2022),  1144–1147
9. Внутренние потери в инжекционных лазерах на основе квантовых яма-точек
   
   Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  922–927
10. Влияние конструкции активной области и волновода на характеристики лазеров на основе структур квантовые ямы-точки InGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021),  256–263
11. Модификация гребневых волноводов полупроводниковых лазеров фокусированным ионным пучком
    
    Письма в ЖТФ, 47:24 (2021),  51–54
12. Паразитная рекомбинация в лазере с асимметричными барьерными слоями
    
    Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020),  296–303
13. Генерация пикосекундных импульсов лазерами с распределенной обратной связью с длиной волны 1064 nm
    
    Письма в ЖТФ, 46:7 (2020),  12–15
14. Инжекционные лазеры InGaAlP/GaAs оранжевого оптического диапазона ($\sim$600 нм)
    
    Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1708–1713
15. Полупроводниковая лазерная квазирешетка с фазированными одномодовыми каналами излучения
    
    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1444–1447
16. Дискриминация поперечных мод в торцевых полупроводниковых лазерах с пространственной модуляцией отражения выходных зеркал
    
    Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  211–215
17. Особенности вольт-амперной характеристики микродисковых лазеров на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 45:19 (2019),  37–39
18. Лазеры на основе квантовых яма-точек, излучающие в оптических диапазонах 980 и 1080 nm
    
    Письма в ЖТФ, 45:4 (2019),  42–45
19. Снижение внутренних потерь и теплового сопротивления в лазерных диодах со связанными волноводами
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1351–1356
20. Влияние конструкции эпитаксиальной структуры и параметров роста на характеристики метаморфных лазеров оптического диапазона 1.46 мкм на основе квантовых точек на положках GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1191–1196
21. Режимы излучения двухсекционных лазеров спектрального диапазона 1.06 $\mu$m с активной областью на основе квантовых точек
    
    Письма в ЖТФ, 44:21 (2018),  30–39
22. Мощностные характеристики и температурная зависимость угловой расходимости излучения лазеров с приповерхностной активной областью
    
    Письма в ЖТФ, 44:15 (2018),  46–51
23. Оптические свойства гибридных квантово-размерных структур с высоким коэффициентом поглощения
    
    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1202–1207
24. Определение технологических параметров роста в системе InAs–GaAs для синтеза “многомодальных” квантовых точек InAs методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
    
    Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1136–1143
25. Влияние бимодальности массива квантовых точек на оптические свойства и пороговые характеристики лазеров на их основе
    
    Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1115–1119
26. Многослойные массивы квантовых точек высокой объемной плотности
    
    Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014),  1487–1491
27. Надежные вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 850 нм для оптической передачи данных на скорости 25 Гбит/с
    
    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  81–87
28. Спектральная зависимость фактора уширения линии в лазерах на квантовых точках
    
    Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013),  1681–1686
29. Оптимизация конструкции и режима работы лазера на квантовых точках для снижения тепловых потерь при переключении
    
    Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1102–1108
30. Температурно-стабильный полупроводниковый лазер на основе составных волноводов
    
    Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011),  560–565
31. Пространственно-одномодовый полупроводниковый лазер на InAs/InGaAs-квантовых точках с дифракционным фильтром оптических мод
    
    Физика и техника полупроводников, 44:10 (2010),  1401–1406
32. Анализ механизмов эмиссии носителей в $p$–$i$–$n$-структурах с квантовыми точками In(Ga)As
    
    Физика и техника полупроводников, 44:10 (2010),  1352–1356