Гордеев Никита Юрьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Пространственное распределение тока в полупроводниковых оптических усилителях с гребневым волноводом и активной областью на основе квантовых яма-точек
   
   Оптика и спектроскопия, 133:10 (2025),  1063–1067
2. Спектральные и пространственные характеристики излучения торцевых лазерных диодов на основе квантовых ям InGaAs/GaAs со сверхшироким волноводом
   
   Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025),  310–313
3. Управляемое током и светом переключение длин волн лазерной генерации в лазерах на квантовых точках InAs/InGaAs/GaAs для использования в нейроморфной фотонике
   
   Письма в ЖТФ, 51:21 (2025),  45–49
4. Генерация замкнутой моды в мощных суперлюминесцентных диодах со скользящим полосковым волноводом
   
   Письма в ЖТФ, 51:10 (2025),  18–21
5. Зависимость коэффициента распространения пучка от конструкции волновода торцевых диодных лазеров
   
   Оптика и спектроскопия, 132:5 (2024),  520–523
6. Оптическое усиление в волноводных гетероструктурах спектрального диапазона 1010–1075 нм с активной областью на основе InGaAs квантовых яма-точек
   
   Физика и техника полупроводников, 58:6 (2024),  313–317
7. Вклад связанных волноводов в сопротивление гетероструктуры мощных торцевых лазеров InGaAs/GaAs/AlGaAs
   
   Письма в ЖТФ, 50:2 (2024),  18–22
8. Широкополосное излучение суперлюминесцентных диодов на основе многослойных структур с квантовыми яма-точками InGaAs/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 57:4 (2023),  301–307
9. Кодирование информации с использованием двухуровневой генерации в лазере на квантовых точках
   
   Письма в ЖТФ, 49:5 (2023),  18–21
10. Измерение теплового сопротивления торцевых полупроводниковых лазеров по спектрам спонтанного излучения
    
    Физика и техника полупроводников, 56:12 (2022),  1148–1153
11. Связь длины волны и усиления в лазерах на квантовых ямах, точках и яма-точках
    
    Физика и техника полупроводников, 56:12 (2022),  1144–1147
12. Внутренние потери в инжекционных лазерах на основе квантовых яма-точек
    
    Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  922–927
13. Температурные характеристики кольцевых лазеров с активной областью на основе InAs/InGaAs/GaAs-квантовых точек оптического диапазона 1.3 $\mu$m
    
    Письма в ЖТФ, 48:18 (2022),  36–40
14. Сверхвысокое модовое усиление в инжекционных полосковых лазерах и микролазерах на основе квантовых точек InGaAs/GaAs
    
    Квантовая электроника, 52:7 (2022),  593–596
15. Увеличение эффективности тандема полупроводниковый лазер-оптический усилитель на основе самоорганизующихся 8s квантовых точек
    
    Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1223–1228
16. Мощность насыщения оптического усилителя на основе самоорганизующихся квантовых точек
    
    Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  820–825
17. Влияние конструкции активной области и волновода на характеристики лазеров на основе структур квантовые ямы-точки InGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021),  256–263
18. Модификация гребневых волноводов полупроводниковых лазеров фокусированным ионным пучком
    
    Письма в ЖТФ, 47:24 (2021),  51–54
19. Инжекционные лазеры InGaAlP/GaAs оранжевого оптического диапазона ($\sim$600 нм)
    
    Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1708–1713
20. Полупроводниковая лазерная квазирешетка с фазированными одномодовыми каналами излучения
    
    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1444–1447
21. Дискриминация поперечных мод в торцевых полупроводниковых лазерах с пространственной модуляцией отражения выходных зеркал
    
    Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  211–215
22. Лазеры на основе квантовых яма-точек, излучающие в оптических диапазонах 980 и 1080 nm
    
    Письма в ЖТФ, 45:4 (2019),  42–45
23. Снижение внутренних потерь и теплового сопротивления в лазерных диодах со связанными волноводами
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1351–1356
24. Влияние конструкции эпитаксиальной структуры и параметров роста на характеристики метаморфных лазеров оптического диапазона 1.46 мкм на основе квантовых точек на положках GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1191–1196
25. Подавление волноводной рекомбинации за счет использования парных асимметричных барьеров в лазерных гетероструктурах
    
    Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  260–265
26. Мощностные характеристики и температурная зависимость угловой расходимости излучения лазеров с приповерхностной активной областью
    
    Письма в ЖТФ, 44:15 (2018),  46–51
27. Спектральная зависимость фактора уширения линии в лазерах на квантовых точках
    
    Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013),  1681–1686
28. Локальная трибоэлектризация поверхности $n$-GaAs с помощью зонда атомно-силового микроскопа
    
    Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1181–1184
29. Оптимизация конструкции и режима работы лазера на квантовых точках для снижения тепловых потерь при переключении
    
    Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1102–1108
30. Влияние модулированного легирования активной области на одновременную генерацию через основное и возбужденное состояния в лазерах на квантовых точках
    
    Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1353–1356
31. Синхронизация мод на высших гармониках в лазерах на квантовых точках с туннельно-связанными волноводами
    
    Письма в ЖТФ, 38:2 (2012),  25–31
32. Влияние нелинейного насыщения усиления на предельную частоту модуляции в лазерах на основе самоорганизующихся квантовых точек
    
    Физика и техника полупроводников, 45:7 (2011),  996–1000
33. Температурно-стабильный полупроводниковый лазер на основе составных волноводов
    
    Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011),  560–565
34. Пространственно-одномодовый полупроводниковый лазер на InAs/InGaAs-квантовых точках с дифракционным фильтром оптических мод
    
    Физика и техника полупроводников, 44:10 (2010),  1401–1406