RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Надточий Алексей Михайлович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Пространственное распределение тока в полупроводниковых оптических усилителях с гребневым волноводом и активной областью на основе квантовых яма-точек

    Оптика и спектроскопия, 133:10 (2025),  1063–1067
  2. Фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения $\lambda$ = 1064 нм на основе GaInAsP/InP

    Физика и техника полупроводников, 59:8 (2025),  447–451
  3. Экспериментально-аналитическое исследование проблемы компенсации механических напряжений в системе InGaAs множественных квантовых ям для излучателей ближнего инфракрасного диапазона

    Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025),  190–194
  4. Высокочастотная модуляция микрокольцевого лазера с квантовыми точками при повышенной температуре

    Письма в ЖТФ, 51:20 (2025),  32–35
  5. Управление параметрами InGaAs квантовых ям в активной области светодиодов ближнего инфракрасного диапазона (850–960 nm)

    Оптика и спектроскопия, 132:11 (2024),  1146–1149
  6. Исследование вхождения атомов V группы в арсенид-фосфидные твердые растворы, выращенные методом газофазной эпитаксии при использовании (CH$_3$)$_3$As в качестве источника мышьяка

    Физика и техника полупроводников, 58:10 (2024),  541–543
  7. Исследование структурных и оптических свойств InGaAs-квантовых точек

    Физика и техника полупроводников, 58:6 (2024),  318–325
  8. Оптическое усиление в волноводных гетероструктурах спектрального диапазона 1010–1075 нм с активной областью на основе InGaAs квантовых яма-точек

    Физика и техника полупроводников, 58:6 (2024),  313–317
  9. Зависимость длины волны генерации от оптических потерь в лазере на квантовых точках

    Письма в ЖТФ, 50:21 (2024),  57–60
  10. Исследование высокотемпературной генерации микродисковых лазеров с оптически связанным волноводом

    Оптика и спектроскопия, 131:11 (2023),  1483–1485
  11. Влияние пассивации поверхности цилиндрических мезаструктур на основе GaAs на их оптические свойства

    Оптика и спектроскопия, 131:8 (2023),  1112–1117
  12. Влияние температуры на ток через различные рекомбинационные каналы в GaAs-солнечных элементах с GaInAs-квантовыми точками

    Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  700–705
  13. Эпитаксиальные гетероструктуры активной области светодиодов ближнего инфракрасного диапазона

    Физика и техника полупроводников, 57:7 (2023),  538–541
  14. Модель быстродействия волноводного фотодиода с квантовыми точками

    Физика и техника полупроводников, 57:3 (2023),  215–220
  15. Исследование $p$–$i$–$n$-фотодетектора с поглощающей средой на основе InGaAs/GaAs квантовых яма-точек

    Физика и техника полупроводников, 57:3 (2023),  202–206
  16. Кодирование информации с использованием двухуровневой генерации в лазере на квантовых точках

    Письма в ЖТФ, 49:5 (2023),  18–21
  17. Температурные зависимости излучательного и безызлучательного времени жизни носителей в квантовых яма-точках InGaAs

    Физика и техника полупроводников, 56:10 (2022),  993–996
  18. Внутренние потери в инжекционных лазерах на основе квантовых яма-точек

    Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  922–927
  19. Бимодальность в спектрах электролюминесценции InGaAs квантовых яма-точек

    Физика и техника полупроводников, 56:1 (2022),  97–100
  20. Особенности роста массивов квантовых точек InAs с низкой поверхностной плотностью методом молекулярно-пучковой эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 48:24 (2022),  42–46
  21. Двухуровневая лазерная генерация в инжекционных микродисках на основе квантовых точек InAs/InGaAs

    Письма в ЖТФ, 48:12 (2022),  40–43
  22. Быстродействующие фотодетекторы на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs

    Письма в ЖТФ, 48:4 (2022),  32–35
  23. Сверхвысокое модовое усиление в инжекционных полосковых лазерах и микролазерах на основе квантовых точек InGaAs/GaAs

    Квантовая электроника, 52:7 (2022),  593–596
  24. Исследование характеристик сверхрешетки InGaAs/InAlGaAs для вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1300 nm

    ЖТФ, 91:12 (2021),  2008–2017
  25. Оптические свойства трехмерных островков InGaP(As), сформированных методом замещения элементов пятой группы

    Оптика и спектроскопия, 129:2 (2021),  218–222
  26. Увеличение эффективности тандема полупроводниковый лазер-оптический усилитель на основе самоорганизующихся 8s квантовых точек

    Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1223–1228
  27. Мощность насыщения оптического усилителя на основе самоорганизующихся квантовых точек

    Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  820–825
  28. Инфракрасные (850 нм) светодиоды с множественными квантовыми ямами InGaAs и “тыльным” отражателем

    Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  699–703
  29. Влияние конструкции активной области и волновода на характеристики лазеров на основе структур квантовые ямы-точки InGaAs/GaAs

    Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021),  256–263
  30. Учет подложки при расчете электрического сопротивления микродисковых лазеров

    Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  195–200
  31. Увеличение оптической мощности микродисковых лазеров InGaAs/GaAs, перенесенных на кремниевую подложку методом термокомпрессии

    Письма в ЖТФ, 47:20 (2021),  3–6
  32. Энергопотребление при высокочастотной модуляции неохлаждаемого InGaAs/GaAs/AlGaAs-микродискового лазера

    Письма в ЖТФ, 47:13 (2021),  28–31
  33. Спектроскопия возбуждения фотолюминесценции массивов квантовых точек InAs/InGaAs/GaAs в температурном диапазоне 20–300 K

    Оптика и спектроскопия, 128:1 (2020),  110–117
  34. Сравнительный анализ оптических и физических свойств квантовых точек InAs, In$_{0.8}$Ga$_{0.2}$As и фотоэлектрических преобразователей на их основе

    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1079–1087
  35. Предельная температура генерации микродисковых лазеров

    Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020),  570–574
  36. Быстродействующие фотодетекторы оптического диапазона 950–1100 nm на основе In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As/GaAs-наноструктур квантовая яма-точки

    Письма в ЖТФ, 46:24 (2020),  11–14
  37. Лазерная генерация перенесенных на кремний инжекционных микродисков с квантовыми точками InAs/InGaAs/GaAs

    Письма в ЖТФ, 46:16 (2020),  3–6
  38. Микрооптопара на базе микродискового лазера и фотодетектора с активной областью на основе квантовых ям-точек

    Письма в ЖТФ, 46:13 (2020),  7–10
  39. Влияние числа рядов GaInAs-квантовых объектов на ток насыщения GaAs-фотопреобразователей

    Письма в ЖТФ, 46:12 (2020),  30–33
  40. Влияние саморазогрева на модуляционные характеристики микродискового лазера

    Письма в ЖТФ, 46:11 (2020),  3–7
  41. Экспериментальное и теоретическое исследование спектров фоточувствительности структур с квантовыми ямами-точками In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As оптического диапазона 900–1050 nm

    Письма в ЖТФ, 46:5 (2020),  3–6
  42. Инжекционные лазеры InGaAlP/GaAs оранжевого оптического диапазона ($\sim$600 нм)

    Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1708–1713
  43. Фотолюминесценция с временным разрешением наноструктур InGaAs различной квантовой размерности

    Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1520–1526
  44. Лазеры на основе квантовых яма-точек, излучающие в оптических диапазонах 980 и 1080 nm

    Письма в ЖТФ, 45:4 (2019),  42–45
  45. Влияние конструкции эпитаксиальной структуры и параметров роста на характеристики метаморфных лазеров оптического диапазона 1.46 мкм на основе квантовых точек на положках GaAs

    Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1191–1196
  46. Многослойные InGaAs-гетероструктуры “квантовая яма-точки” в фотопреобразователях на основе GaAs

    Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1131–1136
  47. In$_{0.8}$Ga$_{0.2}$As квантовые точки для GaAs-фотопреобразователей: особенности роста, исследование методом металлорганической газофазной эпитаксии, и свойства

    Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  729–735
  48. Бимодальность в массивах гибридных квантово-размерных гетероструктур In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As, выращенных на подложках GaAs

    Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  57–62
  49. Квантовые точки InAs, выращенные в метаморфной матрице In$_{0.25}$Ga$_{0.75}$As методом МОС-гидридной эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  704–710
  50. Оптические свойства гибридных наноструктур “квантовая яма–точки”, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  372–377
  51. Оптические свойства квантовых ям InGaAs/InGaAlAs спектрального диапазона 1520–1580 нм

    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1208–1212
  52. Оптические свойства гибридных квантово-размерных структур с высоким коэффициентом поглощения

    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1202–1207
  53. Определение технологических параметров роста в системе InAs–GaAs для синтеза “многомодальных” квантовых точек InAs методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений

    Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1136–1143
  54. Влияние бимодальности массива квантовых точек на оптические свойства и пороговые характеристики лазеров на их основе

    Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1115–1119
  55. Влияние сульфидной пассивации на люминесценцию микродисков с квантовыми ямами и квантовыми точками

    Письма в ЖТФ, 41:13 (2015),  86–94
  56. Многослойные массивы квантовых точек высокой объемной плотности

    Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014),  1487–1491
  57. Надежные вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 850 нм для оптической передачи данных на скорости 25 Гбит/с

    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  81–87
  58. Спектральная зависимость фактора уширения линии в лазерах на квантовых точках

    Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013),  1681–1686
  59. Лазерная генерация при комнатной температуре в микрокольцевых резонаторах с активной областью на основе квантовых точек

    Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013),  1396–1399
  60. Оптимизация конструкции и режима работы лазера на квантовых точках для снижения тепловых потерь при переключении

    Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1102–1108
  61. Пространственно-одномодовые полупроводниковые вертикально излучающие лазеры с неплоским верхним распределенным брэгговским отражателем

    Физика и техника полупроводников, 47:7 (2013),  985–989
  62. Высокочастотные электрические свойства вертикально-излучающего лазера с интегрированным электрооптическим модулятором

    Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013),  684–689
  63. Оптическая анизотропия квантовых точек InGaAs

    Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  87–91
  64. Лазерная генерация в перенесенных на подложку кремния микродисковых резонаторах с квантовыми точками InAs/GaAs

    Письма в ЖТФ, 39:18 (2013),  70–77
  65. Высокотемпературная лазерная генерация в микрокольцевом лазере с активной областью на основе квантовых точек InAs/InGaAs

    Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012),  1063–1066
  66. Влияние положения массива InGaAs квантовых точек на спектральные характеристики AlGaAs/GaAs фотопреобразователей

    Письма в ЖТФ, 38:22 (2012),  43–49
  67. Способ уменьшения паразитной емкости вертикально-излучающего лазера с селективно-окисленной апертурой

    Письма в ЖТФ, 38:3 (2012),  10–16
  68. Особенности молекулярно-пучковой эпитаксии и структурные свойства гетероструктур на основе AlInSb

    Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1379–1385
  69. Влияние параметров AlGaAs–(AlGa)$_x$O$_y$ пьедестала на характеристики микродискового лазера с активной областью на основе InAs/InGaAs-квантовых точек

    Физика и техника полупроводников, 45:7 (2011),  992–995
  70. Матрицы вертикально излучающих лазеров спектрального диапазона 960 нм

    Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  836–839
  71. Быстродействие вертикально-излучающих AlGaAs-лазеров с активной средой на основе субмонослойных внедрений InAs

    Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011),  688–693
  72. Анализ механизмов эмиссии носителей в $p$–$i$–$n$-структурах с квантовыми точками In(Ga)As

    Физика и техника полупроводников, 44:10 (2010),  1352–1356
  73. Оптическая анизотропия InAs квантовых точек

    Письма в ЖТФ, 36:23 (2010),  24–30

© МИАН, 2026