Моисеев Эдуард Ильмирович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Направленность вывода излучения из кольцевых микролазеров с нарушенной вращательной симметрией
   
   Письма в ЖТФ, 52:7 (2026),  27–30
2. Высокочастотная модуляция микрокольцевого лазера с квантовыми точками при повышенной температуре
   
   Письма в ЖТФ, 51:20 (2025),  32–35
3. Лазерная генерация в дисковых микроструктурах InGaN/GaN/AlGaN на кремнии
   
   Письма в ЖТФ, 51:11 (2025),  41–45
4. Микродисковые лазеры на основе InGaAs/GaAs-квантовых точек, монолитно-интегрированные с волноводом
   
   Физика и техника полупроводников, 58:2 (2024),  107–113
5. Зависимость длины волны генерации от оптических потерь в лазере на квантовых точках
   
   Письма в ЖТФ, 50:21 (2024),  57–60
6. Полудисковые микролазеры с полукольцевым контактом на основе InGaAs/GaAs квантовых яма-точек с высокой выходной мощностью
   
   Письма в ЖТФ, 50:6 (2024),  23–27
7. Исследование оптических свойств нановключений InP/InAsP/InP в кремнии
   
   Письма в ЖТФ, 50:5 (2024),  3–6
8. Исследование высокотемпературной генерации микродисковых лазеров с оптически связанным волноводом
   
   Оптика и спектроскопия, 131:11 (2023),  1483–1485
9. Определение температуры и теплового сопротивления полудискового лазерного диода методом измерения импульсных вольт-амперных характеристик
   
   Физика и техника полупроводников, 57:9 (2023),  767–772
10. Модель быстродействия волноводного фотодиода с квантовыми точками
    
    Физика и техника полупроводников, 57:3 (2023),  215–220
11. Исследование $p$–$i$–$n$-фотодетектора с поглощающей средой на основе InGaAs/GaAs квантовых яма-точек
    
    Физика и техника полупроводников, 57:3 (2023),  202–206
12. Температурные характеристики кольцевых лазеров с активной областью на основе InAs/InGaAs/GaAs-квантовых точек оптического диапазона 1.3 $\mu$m
    
    Письма в ЖТФ, 48:18 (2022),  36–40
13. Сверхвысокочастотные диоды Шоттки на основе одиночных нитевидных нанокристаллов GaN
    
    Письма в ЖТФ, 48:15 (2022),  22–25
14. Сверхвысокое модовое усиление в инжекционных полосковых лазерах и микролазерах на основе квантовых точек InGaAs/GaAs
    
    Квантовая электроника, 52:7 (2022),  593–596
15. Увеличение эффективности тандема полупроводниковый лазер-оптический усилитель на основе самоорганизующихся 8s квантовых точек
    
    Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1223–1228
16. Мощность насыщения оптического усилителя на основе самоорганизующихся квантовых точек
    
    Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  820–825
17. Учет подложки при расчете электрического сопротивления микродисковых лазеров
    
    Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  195–200
18. Увеличение оптической мощности микродисковых лазеров InGaAs/GaAs, перенесенных на кремниевую подложку методом термокомпрессии
    
    Письма в ЖТФ, 47:20 (2021),  3–6
19. Энергопотребление при высокочастотной модуляции неохлаждаемого InGaAs/GaAs/AlGaAs-микродискового лазера
    
    Письма в ЖТФ, 47:13 (2021),  28–31
20. Исследование фотоотклика графена, полученного методом химического осаждения из газовой фазы
    
    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  833–840
21. Предельная температура генерации микродисковых лазеров
    
    Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020),  570–574
22. Сравнительный анализ инжекционных микродисковых лазеров на основе квантовых ям InGaAsN и квантовых точек InAs/InGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020),  212–216
23. Лазерная генерация перенесенных на кремний инжекционных микродисков с квантовыми точками InAs/InGaAs/GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 46:16 (2020),  3–6
24. Микрооптопара на базе микродискового лазера и фотодетектора с активной областью на основе квантовых ям-точек
    
    Письма в ЖТФ, 46:13 (2020),  7–10
25. Влияние саморазогрева на модуляционные характеристики микродискового лазера
    
    Письма в ЖТФ, 46:11 (2020),  3–7
26. Оценка вклада поверхностной рекомбинации в микродисковых лазерах с помощью высокочастотной модуляции
    
    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1122–1127
27. Микромассивы кремниевых нанопилларов: формирование и резонансное отражение света
    
    Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  216–220
28. Использование микродисковых лазеров с квантовыми точками InAs/InGaAs для биодетектирования
    
    Письма в ЖТФ, 45:23 (2019),  10–13
29. Особенности вольт-амперной характеристики микродисковых лазеров на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 45:19 (2019),  37–39
30. Потребление энергии для высокочастотного переключения микродискового лазера с квантовыми точками
    
    Письма в ЖТФ, 45:16 (2019),  49–51
31. Спектральные характеристики отражения микромассивов кремниевых нанопилларов
    
    Оптика и спектроскопия, 124:5 (2018),  695–699
32. Нарушение локальной электронейтральности в квантовой яме полупроводникового лазера с асимметричными барьерными слоями
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1518–1526
33. Когерентный рост нитевидных нанокристаллов InP/InAsP/InP на поверхности Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 44:3 (2018),  55–61
34. Оптические свойства метаморфной гибридной гетероструктуры вертикально излучающего лазера спектрального диапазона 1300 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1176–1181
35. Исследование структурных и оптических свойств слоев GaP(N), синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложкаx Si(100) 4$^\circ$
    
    Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  276–280
36. Особенности волноводной рекомбинации в лазерных структурах с асимметричными барьерными слоями
    
    Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  263–268
37. Лазерные характеристики инжекционного микродиска с квантовыми точками и эффективность вывода излучения в свободное пространство
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1425–1428
38. Инжекционные микродисковые лазеры спектрального диапазона 1.27 мкм
    
    Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  393–397
39. Лазерная генерация вертикальных микрорезонаторов с массивами квантовых точек InAs/InGaAs на длине волны 1.3 $\mu$m при оптической накачке
    
    Письма в ЖТФ, 42:19 (2016),  70–79
40. Оптические и электрофизические свойства кремниевых нанопилларов
    
    Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  961–965
41. Тепловое сопротивление дисковых микролазеров сверхмалого диаметра
    
    Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015),  688–692
42. Влияние сульфидной пассивации на люминесценцию микродисков с квантовыми ямами и квантовыми точками
    
    Письма в ЖТФ, 41:13 (2015),  86–94
43. Лазерная генерация в микродисках сверхмалого диаметра
    
    Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1666–1670
44. Лазерная генерация при комнатной температуре в микрокольцевых резонаторах с активной областью на основе квантовых точек
    
    Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013),  1396–1399
45. Лазерная генерация в перенесенных на подложку кремния микродисковых резонаторах с квантовыми точками InAs/GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 39:18 (2013),  70–77