Кудояров Михаил Федорович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Облучение ионами аргона диодов Шоттки на основе 4H-SiC
   
   Физика и техника полупроводников, 58:9 (2024),  493–496
2. Облучение ионами аргона Cr/4H-SiC-фотоприемников
   
   Физика и техника полупроводников, 56:2 (2022),  254–258
3. Высоковольтные 4$H$-SiC диоды Шоттки с полевой обкладкой
   
   Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  188–194
4. Высоковольтные лавинные 4$H$-SiC-диоды с охранной полуизолирующей областью
   
   Письма в ЖТФ, 47:6 (2021),  48–50
5. Измерения спектров гамма- и нейтронного излучения в ядерных реакциях с ионами $^{3}$He и $^{9}$Be
   
   Письма в ЖТФ, 47:3 (2021),  3–6
6. Структурные и оптические характеристики ультрафиолетовых 4$H$-SiC-детекторов, облученных ионами аргона
   
   Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020),  1244–1248
7. Коррекция характеристик обратного восстановления высоковольтных инжекционных 4$H$-SiC диодов с помощью протонного облучения
   
   Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019),  862–864
8. Исследование состава остаточного газа в вакуумной системе циклотрона ФТИ им. А.Ф. Иоффе
   
   Письма в ЖТФ, 45:16 (2019),  30–32
9. Влияние низкодозного протонного облучения на характеристики инжекционных диодов на основе 4$H$-SiC
   
   Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1187–1190
10. Многообразие свойств приборных структур на основе нитридов элементов III группы, связанное с модификацией фрактально-перколяционной системы
    
    Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  804–811
11. Влияние термообработки на электрические характеристики полуизолирующих слоев, полученных с помощью облучения $n$-SiC высокоэнергетическими ионами аргона
    
    Письма в ЖТФ, 44:6 (2018),  11–16
12. Процессы самоорганизации в полисилоксановых блок-сополимерах, инициируемые модифицирующими добавками фуллерена
    
    Физика твердого тела, 59:8 (2017),  1632–1637
13. Полуизолирующие слои 4$H$-SiC, полученные имплантацией высокоэнергетичных (53 МэВ) ионов аргона в эпитаксиальные пленки $n$-типа проводимости
    
    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  937–940
14. Особенности взаимодействия протонов с транзисторными структурами с двумерным AlGaN/GaN-каналом
    
    Письма в ЖТФ, 42:21 (2016),  39–46
15. Трековые мембраны на основе пленки из полиэтилентерефталата толщиной 20 $\mu$m, полученные на пучке ионов аргона с пробегом меньше толщины пленки
    
    Письма в ЖТФ, 42:13 (2016),  87–95
16. О некоторых возможностях стерилизации при помощи трековых мембран
    
    Письма в ЖТФ, 37:18 (2011),  81–86