Лебедева Наталья Михайловна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Контактные системы “мостикового” типа в InGaAs/InP фотоэлектрических преобразователях
   
   ЖТФ, 96:2 (2026),  345–350
2. Длинноволновые ($\lambda_{0.1}$ = 10 $\mu$m, 296 K) инфракрасные фотоприемники на основе твердого раствора InAsSb$_{0.38}$
   
   Оптика и спектроскопия, 131:11 (2023),  1505–1508
3. Изменение адсорбционных свойств графена в процессе получения биосенсоров вирусных инфекций
   
   Физика и техника полупроводников, 56:12 (2022),  1137–1143
4. Высоковольтные лавинные 4$H$-SiC диоды с прямой фаской
   
   Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021),  349–353
5. TCAD-моделирование высоковольтных 4$H$-SiC диодов с охранной полуизолирующей областью
   
   Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  201–206
6. Высоковольтные 4$H$-SiC диоды Шоттки с полевой обкладкой
   
   Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  188–194
7. Высоковольтные лавинные 4$H$-SiC-диоды с охранной полуизолирующей областью
   
   Письма в ЖТФ, 47:6 (2021),  48–50
8. Лавинный пробой в 4$H$-SiC диодах Шоттки: вопросы надежности
   
   ЖТФ, 90:12 (2020),  2133–2138
9. Формирование SiC-мезаструктур с пологими боковыми стенками cухим селективным травлением через маску из фоторезиста
   
   ЖТФ, 90:6 (2020),  997–1000
10. О защите высоковольтных мезаструктурных 4$H$-SiC-приборов от поверхностного пробоя: прямая фаска
    
    Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020),  207–211
11. Микропрофилирование 4$H$-SiC сухим травлением в технологии формирования структуры полевого транзистора с затвором Шоттки
    
    Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020),  97–102
12. Плазмонный резонанс в новых металло-полупроводниковых метаматериалах AsSb–AlGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1635–1639
13. Туннельные диоды GaAs:Si/GaAs:Be для многопереходных солнечных элементов, выращиваемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 41:18 (2015),  82–88
14. Резонанс Фрёлиха в системе AsSb/AlGaAs
    
    Физика твердого тела, 56:10 (2014),  1891–1895
15. Темновые вольт-амперные характеристики трехпереходных солнечных элементов: связь с эффективностью и влияние пассивирующих обработок
    
    ЖТФ, 84:6 (2014),  92–97