Васев Андрей Васильевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Трехкаскадный InGaP/GaAs/Ge фотоэлектрический преобразователь с утоненной германиевой подложкой
   
   ЖТФ, 94:5 (2024),  783–794
2. Молекулярно-лучевая эпитаксия твердого раствора GaP$_x$As$_{1-x}$: феноменологическое описание зависимости $x$ от условий роста на подложке GaAs(001)
   
   Физика и техника полупроводников, 57:2 (2023),  79–88
3. Массивы квазиодномерных нанокристаллов GaAs, выращенные на окисленной поверхности гетероструктуры Si/GaAs(001): влияние толщины эпитаксиального слоя Si на строение массива
   
   Письма в ЖТФ, 49:3 (2023),  37–41
4. Молекулярно-лучевая эпитаксия GaSb на вицинальных подложках Si(001): влияние условий зарождения слоев на их структурные и оптические свойства
   
   Физика и техника полупроводников, 56:10 (2022),  980–992
5. Формирование InAs/GaP-гетероструктур с квантовыми ямами на подложках кремния методом молекулярно-лучевой эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  139–146
6. Влияние кристаллографической ориентации пленок GaSb на их структурные свойства при гетероэпитаксии на вицинальных подложках Si(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1289–1295
7. Маска на основе эпитаксиального слоя Si для самокаталитического роста нитевидных нанокристаллов на подложках GaAs (111)$B$ и (100)
   
   Письма в ЖТФ, 46:4 (2020),  11–14
8. Легкий гибкий солнечный элемент на основе гетероэпитаксиальной структуры InGaP/GaAs
   
   ЖТФ, 89:7 (2019),  1071–1078
9. Рост твердых растворов InAs$_{x}$Sb$_{1-x}$ на отклоненных подложках GaAs(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  512–519
10. Kinetics of structural changes on GaSb(001) singular and vicinal surfaces during the UHV annealing
    
    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  525
11. Метод диффузии цинка в InP через узкий зазор с использованием планарного источника на основе Zn$_{3}$P$_{2}$
    
    Письма в ЖТФ, 44:14 (2018),  19–25