Есин Михаил Юрьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Изучение кинетики сближения ступеней поверхности Si(100)
   
   Физика твердого тела, 65:2 (2023),  173–179
2. Формирование InAs/GaP-гетероструктур с квантовыми ямами на подложках кремния методом молекулярно-лучевой эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  139–146
3. Влияние кристаллографической ориентации пленок GaSb на их структурные свойства при гетероэпитаксии на вицинальных подложках Si(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1289–1295
4. Маска на основе эпитаксиального слоя Si для самокаталитического роста нитевидных нанокристаллов на подложках GaAs (111)$B$ и (100)
   
   Письма в ЖТФ, 46:4 (2020),  11–14
5. Рост твердых растворов InAs$_{x}$Sb$_{1-x}$ на отклоненных подложках GaAs(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  512–519
6. Формирование ступенчатой поверхности Si(100) и ее влияние на рост островков Ge
   
   Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018),  409–413
7. Метод диффузии цинка в InP через узкий зазор с использованием планарного источника на основе Zn$_{3}$P$_{2}$
   
   Письма в ЖТФ, 44:14 (2018),  19–25
8. Структурное состояние эпитаксиальных пленок GaP разных полярностей на отклоненных подложках Si(001)
   
   Письма в ЖТФ, 43:4 (2017),  64–71
9. Напряженные многослойные структуры с псевдоморфными слоями GeSiSn
   
   Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1610–1614
10. Спектроскопия сечения неупругого рассеяния электронов наногетероструктур Ge$_x$Si$_{1-x}$
    
    Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014),  237–241