Петрушков Михаил Олегович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Трехкаскадный InGaP/GaAs/Ge фотоэлектрический преобразователь с утоненной германиевой подложкой
   
   ЖТФ, 94:5 (2024),  783–794
2. Формирование самоорганизованных квантовых точек в ходе осаждения GaSbP на поверхность AlP
   
   Физика и техника полупроводников, 58:4 (2024),  185–191
3. Молекулярно-лучевая эпитаксия твердого раствора GaP$_x$As$_{1-x}$: феноменологическое описание зависимости $x$ от условий роста на подложке GaAs(001)
   
   Физика и техника полупроводников, 57:2 (2023),  79–88
4. Массивы квазиодномерных нанокристаллов GaAs, выращенные на окисленной поверхности гетероструктуры Si/GaAs(001): влияние толщины эпитаксиального слоя Si на строение массива
   
   Письма в ЖТФ, 49:3 (2023),  37–41
5. Молекулярно-лучевая эпитаксия GaSb на вицинальных подложках Si(001): влияние условий зарождения слоев на их структурные и оптические свойства
   
   Физика и техника полупроводников, 56:10 (2022),  980–992
6. Формирование InAs/GaP-гетероструктур с квантовыми ямами на подложках кремния методом молекулярно-лучевой эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  139–146
7. Влияние кристаллографической ориентации пленок GaSb на их структурные свойства при гетероэпитаксии на вицинальных подложках Si(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1289–1295
8. Маска на основе эпитаксиального слоя Si для самокаталитического роста нитевидных нанокристаллов на подложках GaAs (111)$B$ и (100)
   
   Письма в ЖТФ, 46:4 (2020),  11–14
9. Легкий гибкий солнечный элемент на основе гетероэпитаксиальной структуры InGaP/GaAs
   
   ЖТФ, 89:7 (2019),  1071–1078
10. Гетероструктуры с GaAs/GaP-квантовыми ямами, выращенные на Si-подложках
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1167–1171
11. Рост твердых растворов InAs$_{x}$Sb$_{1-x}$ на отклоненных подложках GaAs(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  512–519
12. Гетероструктуры с InAs/AlAs квантовыми ямами и квантовыми точками, выращенные на гибридных подложках GaAs/Si
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1373–1379
13. Метод диффузии цинка в InP через узкий зазор с использованием планарного источника на основе Zn$_{3}$P$_{2}$
    
    Письма в ЖТФ, 44:14 (2018),  19–25
14. Рентгеноструктурный анализ эпитаксиальных слоев со свойствами дислокационного фильтра
    
    Письма в ЖТФ, 44:13 (2018),  19–27
15. Структурное состояние эпитаксиальных пленок GaP разных полярностей на отклоненных подложках Si(001)
    
    Письма в ЖТФ, 43:4 (2017),  64–71