Брунков Павел Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Рост методом Чохральского полуизолирующих объемных кристаллов $\beta$-Ga$_2$O$_3$, легированных железом, с удельным сопротивлением 160 G$\Omega$ $\cdot$ cm
   
   Письма в ЖТФ, 51:5 (2025),  57–60
2. Построение 2D-картин рентгеновской дифракции от модельных кристаллов-вискеров арсенида галлия
   
   Физика твердого тела, 65:1 (2023),  98–105
3. Измерения частотной зависимости скин-эффекта металлических проводов с круглым сечением
   
   ЖТФ, 93:8 (2023),  1188–1192
4. Влияние знака дзета-потенциала наноалмазных частиц на морфологию композитов “графен–детонационный наноалмаз” в виде суспензий и аэрогелей
   
   ЖТФ, 92:12 (2022),  1853–1868
5. Исследование с помощью молекулярной динамики образования димеров на поверхности (001) GaAs при низких температурах
   
   Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  134–137
6. Лазерная генерация коллоидных кремниевых наночастиц, легированных серой и углеродом
   
   Оптика и спектроскопия, 128:7 (2020),  897–901
7. Исследование фотоотклика графена, полученного методом химического осаждения из газовой фазы
   
   Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  833–840
8. Влияние давления при эпитаксии на свойства слоев GaN
   
   Письма в ЖТФ, 46:24 (2020),  3–6
9. Выглаживание поверхности антимонида галлия
   
   Письма в ЖТФ, 46:23 (2020),  48–50
10. Boson peak related to Ga-nanoclusters in AlGaN layers grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy at Ga-rich conditions
    
    Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1519
11. Моделирование с помощью молекулярной динамики низкотемпературной реконструкции поверхности (001) GaAs в процессе наноиндентирования
    
    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1424–1426
12. 
    
    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1164
13. Изолирующие слои GaN, совместно легированные железом и углеродом
    
    Письма в ЖТФ, 45:14 (2019),  36–39
14. Особенности селективного роста наноколонн GaN на профилированных подложках $c$-сапфира различной геометрии
    
    Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1663–1667
15. Metal-semiconductor nanoheterostructures with an AlGaN quantum well and in-situ formed surface Al nanoislands
    
    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  515
16. Density control of InP/GaInP quantum dots grown by metal-organic vapor-phase epitaxy
    
    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  477
17. Оптимизация структурных свойств и морфологии поверхности метаморфного буферного слоя In$_{x}$Al$_{1-x}$As с корневым профилем изменения состава ($x$ = 0.05–0.83), выращиваемого методом молекулярно-пучковой эпитаксии на GaAs (001)
    
    Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  127–132
18. Влияние метода формирования высокоомного буферного слоя GaN на свойства гетероструктур InAlN/GaN и AlGaN/GaN с двумерным электронным газом
    
    Письма в ЖТФ, 44:13 (2018),  51–58
19. Упругие и пьезоэлектрические параметры кристаллов гистидинфосфита $L$-Hist $\cdot$ H$_{3}$РО$_{3}$, полученные методом электромеханического резонанса
    
    Письма в ЖТФ, 44:3 (2018),  69–78
20. Генерация и релаксация напряжений в гетероструктуре (Al, Ga)N/6$H$-SiC при росте методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 43:9 (2017),  67–74
21. Экспериментальное изучение циклического воздействия плазмы на вольфрам
    
    ЖТФ, 86:3 (2016),  51–57
22. Хлоридная эпитаксия слоев $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$ на сапфировых подложках базисной ориентации
    
    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  997–1000
23. Исследования диэлектрических распределенных брэгговских отражателей для вертикально-излучающих лазеров ближнего ИК-диапазона
    
    Письма в ЖТФ, 42:20 (2016),  57–65
24. Полуизолирующие эпитаксиальные слои GaN : С, полученные методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений с использованием пропана как источника углерода
    
    Письма в ЖТФ, 42:10 (2016),  85–91
25. Влияние условий выращивания на морфологию поверхности и развитие механических напряжений в слоях Al(Ga)N в процессе газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
    
    Письма в ЖТФ, 42:8 (2016),  86–93
26. Формирование серебряных фрактальных структур в ионообменных стеклах при полинге
    
    ЖТФ, 85:2 (2015),  112–117
27. Определение технологических параметров роста в системе InAs–GaAs для синтеза “многомодальных” квантовых точек InAs методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
    
    Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1136–1143
28. Влияние условий взаимодействия зонда атомно-силового микроскопа с поверхностью $n$-GaAs на эффект трибоэлектризации
    
    Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1083–1087
29. Температурные зависимости удельного контактного сопротивления в омических контактах к $n^+$-InN
    
    Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015),  472–482
30. Плазмонное усиление люминесценции желто-красной области спектра в нанокомпозитах InGaN/Au
    
    Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  254–260
31. Цилиндрические многослойные металлодиэлектрические структуры
    
    Письма в ЖТФ, 41:22 (2015),  61–65
32. Многопериодные квантово-каскадные наногетероструктуры: эпитаксия и диагностика
    
    Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1640–1645
33. $P$-InAsSbP/$n^0$-InAs/$n^+$-InAs photodiodes for operation at moderate cooling (150–220 K)
    
    Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014),  1394–1397
34. Анализ процессов термической эмиссии электронов из массивов InAs квантовых точек в слое объемного заряда GaAs-матрицы
    
    Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1186–1191
35. Оптимизация подвижности носителей заряда в люминесцентных слоях на основе $\beta$-дикетонатов европия гибридных светоизлучающих структур
    
    Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014),  384–387
36. Исследование электрических свойств одиночных (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов
    
    Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014),  358–363
37. О зависимости эффективности A$^{\mathrm{III}}$N светодиодов синего диапазона от структурного совершенства буферных эпитаксиальных слоев GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  55–60
38. Молекулярно-пучковая эпитаксия гибридных AlGaAs/ Zn(Mn)Se наноструктур с квантовыми точками InAs/AlGaAs вблизи гетеровалентного интерфейса
    
    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  36–43
39. Формирование наночастиц серебра на поверхности силикатных стекол после ионного обмена
    
    Физика твердого тела, 55:6 (2013),  1180–1186
40. Органические светодиоды на основе пленок поливинилкарбазола, легированных полимерными наночастицами
    
    Физика твердого тела, 55:3 (2013),  617–621
41. Комплексная диагностика многослойных периодических систем с наноразмерными слоями на примере структур Mo/Si
    
    Физика твердого тела, 55:3 (2013),  591–601
42. Однослойные пленки оксида графена на поверхности кремния
    
    ЖТФ, 83:11 (2013),  67–71
43. Характеризация дефектов в коллоидных нанокристаллах CdSe модифицированным методом термостимулированной люминесценции
    
    Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013),  1339–1343
44. Локальная трибоэлектризация поверхности $n$-GaAs с помощью зонда атомно-силового микроскопа
    
    Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1181–1184
45. Механизм передачи электронного возбуждения в органических светоизлучающих устройствах на основе полупроводниковых квантовых точек
    
    Физика и техника полупроводников, 47:7 (2013),  962–969
46. Статистический анализ топографических АСМ-изображений самоорганизованных квантовых точек
    
    Физика и техника полупроводников, 47:7 (2013),  921–926
47. Влияние газа-носителя, потока триметилгаллия и времени роста на характер селективной эпитаксии GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  414–419
48. Композитные InGaN/GaN/InAlN-гетероструктуры, излучающие в желто-красной области спектра
    
    Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1304–1308
49. Электронные состояния на границах раздела электролит/$n$-GaN и электролит/$n$-InGaN
    
    Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012),  775–778
50. Исследование процессов формирования самоупорядоченных квантовых точек на основе (In,Mn)As
    
    Письма в ЖТФ, 38:10 (2012),  21–27
51. Двойное перекрестное эпитаксиальное разращивание неполярных эпитаксиальных слоев нитрида галлия
    
    Письма в ЖТФ, 38:6 (2012),  22–28
52. Взаимная синхронизация двух связанных генераторов автоколебаний на основе сверхрешеток GaAs/AlGaAs
    
    ЖТФ, 81:6 (2011),  80–84
53. Электрохимическое вольт-емкостное профилирование концентрации свободных носителей заряда в HEMT-гетероструктурах на основе соединений InGaAs/AlGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  829–835
54. Формирование композитных квантовых точек InGaN/ GaN/InAlN
    
    Физика и техника полупроводников, 44:10 (2010),  1382–1386
55. Вольт-фарадные характеристики системы электролит–$n$-InN и электронные состояния на границе раздела
    
    Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010),  1053–1058
56. Исследование дефектов в гетероструктурах с квантовыми ямами GaPAsN и GaPN в матрице GaP
    
    Физика и техника полупроводников, 44:7 (2010),  923–927
57. Эпитаксия слоев AlN с высокой скоростью роста в планетарном МОС-гидридном реакторе
    
    Письма в ЖТФ, 36:24 (2010),  33–39


58. Андрей Георгиевич Забродский, к 75-летию со дня рождения
    
    ЖТФ, 91:6 (2021),  893–894