RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Прасолов Никита Дмитриевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Изготовление дифракционных решеток c блеском с переменной плотностью штрихов

    ЖТФ, 95:10 (2025),  1861–1869
  2. Молекулярно-пучковая эпитаксия метаморфных гетероструктур с квантовыми точками InAs/InGaAs, излучающими в телекоммуникационном диапазоне длин волн

    Письма в ЖЭТФ, 120:9 (2024),  694–700
  3. Высокочастотные многослойные дифракционные Si-решетки с малым углом блеска – изготовление

    ЖТФ, 94:7 (2024),  1119–1127
  4. Об успешном опыте гомоэпитаксии слоев $\beta$-Ga$_2$O$_3$ на собственных подложках

    Письма в ЖТФ, 50:7 (2024),  43–46
  5. Построение 2D-картин рентгеновской дифракции от модельных кристаллов-вискеров арсенида галлия

    Физика твердого тела, 65:1 (2023),  98–105
  6. Измерения частотной зависимости скин-эффекта металлических проводов с круглым сечением

    ЖТФ, 93:8 (2023),  1188–1192
  7. Особенности роста массивов квантовых точек InAs с низкой поверхностной плотностью методом молекулярно-пучковой эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 48:24 (2022),  42–46
  8. Исследование с помощью молекулярной динамики образования димеров на поверхности (001) GaAs при низких температурах

    Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  134–137
  9. Моделирование с помощью молекулярной динамики низкотемпературной реконструкции поверхности (001) GaAs в процессе наноиндентирования

    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1424–1426


  10. Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1164
  11. Изготовление и исследование коммутирующих $p$$n$-переходов для каскадных фотопреобразователей

    Письма в ЖТФ, 44:24 (2018),  25–31
  12. Релаксация напряжений в InGaAsP/InP-гетероструктурах для преобразователей лазерного излучения с длиной волны 1064 nm

    Письма в ЖТФ, 43:2 (2017),  3–9
  13. Исследования диэлектрических распределенных брэгговских отражателей для вертикально-излучающих лазеров ближнего ИК-диапазона

    Письма в ЖТФ, 42:20 (2016),  57–65


© МИАН, 2026