|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Изготовление дифракционных решеток c блеском с переменной плотностью штрихов
ЖТФ, 95:10 (2025), 1861–1869
-
Молекулярно-пучковая эпитаксия метаморфных гетероструктур с квантовыми точками InAs/InGaAs, излучающими в телекоммуникационном диапазоне длин волн
Письма в ЖЭТФ, 120:9 (2024), 694–700
-
Высокочастотные многослойные дифракционные Si-решетки с малым углом блеска – изготовление
ЖТФ, 94:7 (2024), 1119–1127
-
Об успешном опыте гомоэпитаксии слоев $\beta$-Ga$_2$O$_3$ на собственных подложках
Письма в ЖТФ, 50:7 (2024), 43–46
-
Построение 2D-картин рентгеновской дифракции от модельных кристаллов-вискеров арсенида галлия
Физика твердого тела, 65:1 (2023), 98–105
-
Измерения частотной зависимости скин-эффекта металлических проводов с круглым сечением
ЖТФ, 93:8 (2023), 1188–1192
-
Особенности роста массивов квантовых точек InAs с низкой поверхностной плотностью методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Письма в ЖТФ, 48:24 (2022), 42–46
-
Исследование с помощью молекулярной динамики образования димеров на поверхности (001) GaAs при низких температурах
Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021), 134–137
-
Моделирование с помощью молекулярной динамики низкотемпературной реконструкции поверхности (001) GaAs в процессе наноиндентирования
Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1424–1426
-
Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1164
-
Изготовление и исследование коммутирующих $p$–$n$-переходов для каскадных фотопреобразователей
Письма в ЖТФ, 44:24 (2018), 25–31
-
Релаксация напряжений в InGaAsP/InP-гетероструктурах для преобразователей лазерного излучения с длиной волны 1064 nm
Письма в ЖТФ, 43:2 (2017), 3–9
-
Исследования диэлектрических распределенных брэгговских отражателей для вертикально-излучающих лазеров ближнего ИК-диапазона
Письма в ЖТФ, 42:20 (2016), 57–65
© , 2026