Забегаев Дмитрий Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Переход от экспоненциального к линейному возрастанию плотности энергии спектральной компоненты пикосекундного стимулированного излучения GaAs при насыщении усиления
   
   Физика и техника полупроводников, 56:4 (2022),  394–400
2. Функциональные зависимости максимальной плотности энергии спектральной компоненты стимулированного пикосекундного излучения GaAs при насыщении усиления. Остаточное характерное время релаксации излучения
   
   Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022),  307–314
3. Влияние разогрева носителей заряда собственным стимулированным пикосекундным излучением в GaAs на линейное возрастание на фронте и длительность спектральной компоненты этого излучения
   
   Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021),  434–440
4. Длины усиления спектральных компонент собственного стимулированного пикосекундного излучения, зависимость от них характерного времени релаксации указанных компонент и связь спектров стимулированного и спонтанного излучений в GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  121–126
5. Влияние на длительность пикосекундного стимулированного излучения GaAs разогрева носителей заряда этим излучением
   
   Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  113–120
6. “Брэгговская” решетка заселенности электронов, наводимая в гетероструктуре Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As–GaAs–Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As ее собственным стимулированным пикосекундным излучением
   
   Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1018–1028
7. Антикорреляция интенсивности стимулированного пикосекундного излучения GaAs и характерного времени остывания носителей заряда
   
   Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020),  25–30
8. Связь релаксации собственного стимулированного пикосекундного излучения GaAs с характерным временем остывания носителей заряда
   
   Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1471–1478
9. Пикосекундная релаксация перенормировки запрещенной зоны GaAs, вызванной кулоновским взаимодействием носителей заряда
   
   Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  594–599
10. Автосинхронизация модуляции заселенности энергетических уровней электронами, создаваемой пикосекундными импульсами зондирующего и собственного стимулированного излучений в GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1333–1342
11. Изменения спектра пикосекундного стимулированного излучения GaAs с сопутствующими им признаками электрон-фононного взаимодействия
    
    Физика и техника полупроводников, 46:7 (2012),  944–951
12. Повторение формы сверхбыстрой автомодуляции спектра поглощения света при изменении энергии импульса накачки GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 44:10 (2010),  1328–1331
13. Субтерагерцовые автоколебания обеднения заселенностей электронов в зоне проводимости GaAs при наличии накачки и собственного стимулированного излучения
    
    Физика и техника полупроводников, 44:9 (2010),  1157–1164