RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Юрков Сергей Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Вольт-амперная характеристика мощных диодных структур с резкой асимметрией инжектирующей способности эмиттеров

    Физика и техника полупроводников, 55:6 (2021),  524–532
  2. Мощные диоды Шоттки с участком отрицательного дифференциального сопротивления на вольт-амперной характеристике

    Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021),  75–82
  3. $S$-образные вольт-амперные характеристики мощных диодов Шоттки при больших плотностях тока

    Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020),  470–477
  4. Неодномерный эффект $dU/dt$ в мощных тиристорах

    Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020),  69–73
  5. Теоретический анализ эффекта $dU/dt$ в тиристорных структурах на основе 4H–SiC

    ЖТФ, 88:10 (2018),  1544–1550
  6. Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки при больших плотностях тока в условиях инжекции неосновных носителей

    Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1125–1130
  7. Анализ влияния неодномерных эффектов на отпирающий ток управления тиристорных структур на основе 4$H$-SiC

    Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  234–239
  8. Высоковольтный тиристор на основе карбида кремния с блокирующей базой $n$-типа

    Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  408–414
  9. Нарушение нейтральности и возникновение $S$-образной вольт-амперной характеристики при двойной инжекции в легированных полупроводниках

    Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  302–309
  10. Перегрев SiC фототиристора в процессе включения и распространения включенного состояния

    Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012),  1224–1229
  11. Модуляционные волны носителей заряда в полупроводниковых слоях $n$- и $p$-типа

    Физика и техника полупроводников, 45:2 (2011),  196–201


© МИАН, 2026