|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Вольт-амперная характеристика мощных диодных структур с резкой асимметрией инжектирующей способности эмиттеров
Физика и техника полупроводников, 55:6 (2021), 524–532
-
Мощные диоды Шоттки с участком отрицательного дифференциального сопротивления на вольт-амперной характеристике
Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021), 75–82
-
$S$-образные вольт-амперные характеристики мощных диодов Шоттки при больших плотностях тока
Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020), 470–477
-
Неодномерный эффект $dU/dt$ в мощных тиристорах
Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 69–73
-
Теоретический анализ эффекта $dU/dt$ в тиристорных структурах на основе 4H–SiC
ЖТФ, 88:10 (2018), 1544–1550
-
Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки при больших плотностях тока в условиях инжекции неосновных носителей
Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1125–1130
-
Анализ влияния неодномерных эффектов на отпирающий ток управления тиристорных структур на основе 4$H$-SiC
Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 234–239
-
Высоковольтный тиристор на основе карбида кремния с блокирующей базой $n$-типа
Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 408–414
-
Нарушение нейтральности и возникновение $S$-образной вольт-амперной характеристики при двойной инжекции в легированных полупроводниках
Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013), 302–309
-
Перегрев SiC фототиристора в процессе включения и распространения включенного состояния
Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012), 1224–1229
-
Модуляционные волны носителей заряда в полупроводниковых слоях $n$- и $p$-типа
Физика и техника полупроводников, 45:2 (2011), 196–201
© , 2026