Тысченко Ида Евгеньевна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Структурные изменения в пленках кремний-на-изоляторе нанометровой толщины при высокотемпературном отжиге
   
   Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022),  320–327
2. Диффузия германия из захороненного слоя SiO$_2$ и формирование фазы SiGe
   
   Физика и техника полупроводников, 56:2 (2022),  192–198
3. Диффузия атомов In в пленках SiO$_{2}$, имплантированных ионами As$^{+}$
   
   Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021),  217–223
4. Свойства структуры и оптических фононов в нанокристаллах InSb, синтезированных в Si и SiO$_{2}$
   
   Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021),  59–68
5. Диффузия и взаимодействие In и As, имплантированных в пленки SiO$_{2}$
   
   Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1023–1029
6. Комбинационное рассеяние света в сферических нанокристаллах InSb, ионно-синтезированных в пленках оксида кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  502–507
7. Анодное окисление слоев кремний-на-изоляторе, созданных методом водородного переноса
   
   Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  253–257
8. Энергия связи пластин кремния и сапфира при повышенных температурах соединения
   
   Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  65–69
9. Ионный синтез кристаллической фазы Ge в пленках SiO$_{x}$N$_{y}$ при отжиге под высоким давлением
   
   Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  280–284
10. Диффузионно-контролируемый рост нанокристаллов Ge в пленках SiO$_{2}$ в условиях ионного синтеза под высоким давлением
    
    Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017),  1414–1419
11. Особенности ионно-лучевого синтеза нанокристаллов Ge в тонких пленках SiO$_{2}$
    
    Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1289–1294
12. Природа оранжевой (2 эВ) фотолюминесценции в пленках SiO$_2$, имплантированных большими дозами ионов Si$^+$
    
    Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015),  1212–1216
13. Эффект гидростатического давления в процессе отжига пленок кремния на изоляторе, имплантированных большими дозами ионов водорода
    
    Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014),  1339–1343
14. Ионный синтез нанокристаллов InSb в захороненном слое SiO$_2$ структуры кремний-на-изоляторе
    
    Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1228–1233
15. Кристаллизация пленок кремний-на-изоляторе, имплантированных большими дозами ионов водорода, под действием термических миллисекундных импульсов
    
    Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013),  591–597
16. Квантово-размерный эффект в пленках кремний-на-изоляторе, имплантированных большими дозами ионов водорода
    
    Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1309–1313
17. Анодное окисление нанометровых слоев Si в структурах кремний-на-изоляторе
    
    Физика и техника полупроводников, 45:8 (2011),  1121–1125
18. Структуры кремний-на-изоляторе с азотированным захороненным слоем SiO$_2$: метод создания и свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 45:3 (2011),  335–342
19. Восходящая диффузия примеси при ионном облучении нагретого кремния: численное моделирование
    
    Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992),  1977–1982
20. Рост монокристаллического $\alpha\text{-Si}_{3}\text{N}_{4}$ в захороненных слоях, полученных низкоинтенсивной имплантацией ионов N$^{+}$ в нагретый кремний
    
    Физика и техника полупроводников, 26:8 (1992),  1390–1393