Королев Сергей Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Анализ и сопоставление характеристик неохлаждаемых диодных детекторов миллиметрового диапазона в рамках обобщенной теоретической модели
   
   ЖТФ, 94:6 (2024),  881–887
2. Электрофизические свойства многослойных пленок алмазоподобного углерода с различным содержанием $sp^3$-фазы
   
   Письма в ЖТФ, 50:17 (2024),  30–33
3. Матричный радиолокатор трехмиллиметрового диапазона с зеркальным объективом
   
   Письма в ЖТФ, 50:14 (2024),  33–36
4. Термический отжиг многослойных пленок алмазоподобного углерода с варьируемым содержанием $sp^3$-фазы
   
   Письма в ЖТФ, 50:13 (2024),  12–15
5. Обработка поверхности арсенида галлия после травления в плазме C$_2$F$_5$Cl
   
   Письма в ЖТФ, 49:19 (2023),  39–42
6. Матричное радиовидение на основе гетеродинного приема с применением радиолокации непрерывным излучением
   
   Письма в ЖТФ, 48:1 (2022),  47–50
7. Экспериментальные исследования модификации характеристик GaAs-структур с контактами Шоттки после воздействия быстрых нейтронов
   
   Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  846–849
8. Исследование нелегированных нанокристаллических алмазных пленок, выращенных из газовой фазы в плазме СВЧ разряда
   
   Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021),  49–58
9. Морфология и состав дефектированных массивов ниобиевых оксидных неоднородностей, сформированных анодированием двуслойной системы Al/Nb
   
   ЖТФ, 90:11 (2020),  1854–1859
10. Формирование омических контактов к слою алмазоподобного углерода, осажденному на диэлектрическую алмазную подложку
    
    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  865–867
11. Модификация соотношения $sp^2/sp^3$-гибридного углерода в PECVD пленках DLC
    
    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  855–858
12. Плазмохимическое осаждение алмазоподобных пленок на поверхности монокристаллического высоколегированного алмаза
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1229–1232
13. Исследование структурных и морфологических свойств HPHT алмазных подложек
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1321–1325
14. Влияние высоты барьера затвор–канал на характеристики детектирования полевого транзистора в сверхвысокочастотном и терагерцовом диапазонах
    
    ЖТФ, 87:5 (2017),  746–753
15. Низкотемпературное осаждение пленок SiN$_{x}$ в индуктивно-связанной плазме SiH$_{4}$/Ar + N$_{2}$ в условиях сильного разбавления силана аргоном
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1503–1506