Краев Станислав Алексеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Исследование спектров электролюминесценции в гетероструктурах с квантовыми ямами на основе твердых растворов HgCdTe при латеральной токовой накачке
   
   Письма в ЖТФ, 52:5 (2026),  9–13
2. Диоды Шоттки на основе монокристаллических гетероструктур Al/AlGaN/GaN для микроволнового детектирования с нулевым смещением
   
   ЖТФ, 95:6 (2025),  1148–1156
3. CVD-алмазные структуры с $p$–$n$-переходом — диоды и транзисторы
   
   ЖТФ, 95:3 (2025),  540–548
4. Исследование фото- и электролюминесценции центров окраски, связанных с азотом, в алмазном $p$–$i$–$n$-диоде
   
   Письма в ЖТФ, 51:10 (2025),  48–51
5. Электролюминесценция центров окраски германий–вакансия в алмазном $p$–$i$–$n$-диоде
   
   Письма в ЖТФ, 51:8 (2025),  3–6
6. Невплавные омические контакты с пониженным сопротивлением к эпитаксиальным слоям алмаза $p$- и $n$-типа и их термическая стабильность
   
   Физика и техника полупроводников, 58:8 (2024),  409–414
7. Электрофизические свойства многослойных пленок алмазоподобного углерода с различным содержанием $sp^3$-фазы
   
   Письма в ЖТФ, 50:17 (2024),  30–33
8. Термический отжиг многослойных пленок алмазоподобного углерода с варьируемым содержанием $sp^3$-фазы
   
   Письма в ЖТФ, 50:13 (2024),  12–15
9. Плазмохимическое осаждение гидрогенизованных пленок DLC с различным содержанием водорода и $sp^3$-гибридного углерода
   
   Физика и техника полупроводников, 57:5 (2023),  309–312
10. Планарные (латеральные) светоизлучающие диоды с Ge(Si)-наноостровками, встроенными в фотонный кристалл
    
    Письма в ЖТФ, 49:22 (2023),  12–15
11. Обработка поверхности арсенида галлия после травления в плазме C$_2$F$_5$Cl
    
    Письма в ЖТФ, 49:19 (2023),  39–42
12. Влияние параметров индуктивно-связанной плазмы хлорпентафторэтана на скорость и характеристики травления арсенида галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  685–688
13. Влияние термического отжига на транспортные свойства низкобарьерных диодов Мотта Ti/AlGaN/GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  627–629
14. Влияние добавки хлорпентафторэтана в составе хлорсодержащей плазмы на скорость и характеристики профиля травления арсенида галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  837–840
15. Исследование нелегированных нанокристаллических алмазных пленок, выращенных из газовой фазы в плазме СВЧ разряда
    
    Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021),  49–58
16. Особенности газофазной эпитаксии GaAs на непланарных подложках
    
    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  958–961
17. Формирование омических контактов к слою алмазоподобного углерода, осажденному на диэлектрическую алмазную подложку
    
    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  865–867
18. Модификация соотношения $sp^2/sp^3$-гибридного углерода в PECVD пленках DLC
    
    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  855–858
19. Использование импульсного лазерного отжига для формирования омических контактов Mo/Ti к алмазу
    
    Письма в ЖТФ, 46:11 (2020),  34–38
20. Исследование формирования омических контактов Au/Mo/Ti с пониженным сопротивлением к эпитаксиальным слоям алмаза $p$-типа
    
    ЖТФ, 89:12 (2019),  1923–1932
21. Омические контакты к эпитаксиальным структурам CVD-алмаза с дельта-слоями бора
    
    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1386–1390
22. Вертикальный полевой транзистор с управляющим $p$–$n$-переходом на основе GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1311–1314
23. Плазмохимическое осаждение алмазоподобных пленок на поверхности монокристаллического высоколегированного алмаза
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1229–1232
24. Новый подход к анализу фазового состава углеродсодержащих материалов методом времяпролетной вторично-ионной масс-спектрометрии
    
    Письма в ЖТФ, 45:2 (2019),  50–54
25. Плазмохимическое травление арсенида галлия в индуктивно-связанной плазме C$_{2}$F$_{5}$Cl
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1362–1365
26. Низкотемпературное осаждение пленок SiN$_{x}$ в индуктивно-связанной плазме SiH$_{4}$/Ar + N$_{2}$ в условиях сильного разбавления силана аргоном
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1503–1506
27. Сильно легированные слои GaAs : Te, полученные в процессе МОГФЭ с использованием диизопропилтеллурида в качестве источника
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1459–1462