Радищев Дмитрий Борисович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. CVD-алмазные структуры с $p$–$n$-переходом — диоды и транзисторы
   
   ЖТФ, 95:3 (2025),  540–548
2. Исследование фото- и электролюминесценции центров окраски, связанных с азотом, в алмазном $p$–$i$–$n$-диоде
   
   Письма в ЖТФ, 51:10 (2025),  48–51
3. Электролюминесценция центров окраски германий–вакансия в алмазном $p$–$i$–$n$-диоде
   
   Письма в ЖТФ, 51:8 (2025),  3–6
4. Термический отжиг многослойных пленок алмазоподобного углерода с варьируемым содержанием $sp^3$-фазы
   
   Письма в ЖТФ, 50:13 (2024),  12–15
5. Плазмохимическое осаждение гидрогенизованных пленок DLC с различным содержанием водорода и $sp^3$-гибридного углерода
   
   Физика и техника полупроводников, 57:5 (2023),  309–312
6. Переход между законами Мотта и Аррениуса в температурных зависимостях сопротивлений сильно легированных бором дельта-слоев в искусственном алмазе
   
   Физика и техника полупроводников, 57:4 (2023),  259–264
7. Investigation of boron-doped delta layers in CVD diamond grown on single-sector HPHT substrates
   
   Наносистемы: физика, химия, математика, 13:5 (2022),  578–584
8. Исследование нелегированных нанокристаллических алмазных пленок, выращенных из газовой фазы в плазме СВЧ разряда
   
   Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021),  49–58
9. Модификация соотношения $sp^2/sp^3$-гибридного углерода в PECVD пленках DLC
   
   Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  855–858
10. Формирование многослойных наноструктур NV-центров в монокристаллическом CVD-алмазе
    
    Письма в ЖТФ, 46:13 (2020),  19–23
11. Использование импульсного лазерного отжига для формирования омических контактов Mo/Ti к алмазу
    
    Письма в ЖТФ, 46:11 (2020),  34–38
12. Исследование формирования омических контактов Au/Mo/Ti с пониженным сопротивлением к эпитаксиальным слоям алмаза $p$-типа
    
    ЖТФ, 89:12 (2019),  1923–1932
13. Омические контакты к эпитаксиальным структурам CVD-алмаза с дельта-слоями бора
    
    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1386–1390
14. Создание локализованных ансамблей NV-центров в CVD-алмазе с помощью облучения электронным пучком
    
    Письма в ЖТФ, 45:6 (2019),  36–39
15. Контракция микроволнового разряда в реакторе для газофазного осаждения алмаза
    
    Письма в ЖТФ, 45:3 (2019),  30–33
16. Исследование структурных и морфологических свойств HPHT алмазных подложек
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1321–1325
17. Erratum to: “Atomic composition and electrical characteristics of epitaxial CVD diamond layers doped with boron”
    
    Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1151
18. Фотодетектор видимого и ближнего инфракрасного диапазона длин волн на основе осажденного из газовой фазы алмаза
    
    Письма в ЖТФ, 43:24 (2017),  65–71
19. Атомный состав и электрофизические характеристики эпитаксиальных слоев CVD алмаза, легированных бором
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1595–1598
20. Монокристаллические слои GaN/AlN на CVD-алмазе
    
    Письма в ЖТФ, 41:19 (2015),  73–80
21. Исследование свойств монокристаллического алмаза, выращенного из газовой фазы на подложках из природного алмаза
    
    Физика и техника полупроводников, 45:3 (2011),  403–407