RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Нарышкина Валентина Григорьевна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Влияние легирующей примеси на пьезоэлектрические и диэлектрические свойства тонких пленок Bi$_{3.25}$La$_{0.75}$Ti$_{3-x}$A$_x$O$_{12}$ ($A$ – Мn, Zr, Nb)

    Физика твердого тела, 64:10 (2022),  1483–1488
  2. Устойчивые к полевым повреждениям структуры кремний-сверхтонкий окисел (42 нм)-поликремний

    Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021),  24–27
  3. Исследования электрофизических свойств сегнетоэлектрических пленок Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO$_{3}$ в параэлектрическом состоянии

    Физика твердого тела, 62:8 (2020),  1226–1231
  4. О природе повышения подвижности электронов в канале инверсии у границы раздела кремний-окисел после полевого воздействия

    Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  89–92
  5. Влияние материала подложки на структуру и электрофизические свойства тонких пленок Ba$_{x}$Sr$_{1-x}$TiO$_{3}$

    Физика твердого тела, 60:5 (2018),  951–954
  6. Генерация поверхностных электронных состояний на границе раздела кремний–сверхтонкий окисел в процессе полевого повреждения структур металл–окисел–полупроводник

    Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1185–1188
  7. Проявление избыточных центров рождения электронно-дырочных пар, возникших в результате полевого и термического стрессов и их последующей аннигиляции, в динамических вольт-амперных характеристиках Si-МОП структур со сверхтонким окислом

    Физика и техника полупроводников, 45:7 (2011),  974–979


© МИАН, 2026