RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Торхов Николай Анатольевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Реакции мембраны клеток буккального эпителия человека на внешние микромеханические раздражители

    Письма в ЖТФ, 48:13 (2022),  7–10
  2. Исследование геометрии рельефа оболочки клеток буккального эпителия человека методами атомно-силовой микроскопии

    Письма в ЖТФ, 48:7 (2022),  43–46
  3. Наблюдение локальных и нелокальных электронных квантовых состояний на кремниевой поверхности при комнатной температуре

    Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021),  16–23
  4. Влияние морфологии поверхности микрополосковой линии СВЧ на ее передаточные характеристики

    Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020),  1238–1243
  5. Исследование электростатической системы поверхности кристаллов AuNi/GaN диодов Шоттки методом зонда Кельвина атомно-силовой микроскопии

    Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020),  266–274
  6. Применение диодов Шоттки в терагерцовом частотном диапазоне

    Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1697–1707
  7. Слоевое сопротивление TiAlNiAu тонкопленочной металлизации омических контактов к нитридным полупроводниковым структурам

    Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  32–40
  8. Влияние электростатического поля периферии на вентильный фотоэффект в контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки

    Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1150–1171
  9. Эффект стабилизации фазы СВЧ-колебаний наносекундных генераторов Ганна

    Письма в ЖТФ, 39:21 (2013),  45–51
  10. Природа электрического взаимодействия контактов Шоттки

    Физика и техника полупроводников, 45:8 (2011),  1041–1055
  11. Влияние фотоэдс на токопрохождение в контактах металл–полупроводник с барьером Шоттки

    Физика и техника полупроводников, 45:7 (2011),  965–973
  12. Влияние периферии контактов металл–полупроводник с барьером Шоттки на их электрофизические характеристики

    Физика и техника полупроводников, 45:1 (2011),  70–86
  13. Природа прямых и обратных токов насыщения в контактах металл–полупроводник с барьером Шоттки

    Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  767–774
  14. Влияние периферии контактов металл–полупроводник с барьером Шоттки на их статические вольт-амперные характеристики

    Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010),  615–627


© МИАН, 2026