RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Евстигнеев Владимир Сергеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Влияние условий осаждения из паров металлоорганических соединений на получение эпитаксиальных слоев $n$-CdTe с использованием изопропилиодида

    Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022),  350–356
  2. Акцепторное легирование мышьяком при осаждении слоев CdTe из диметилкадмия и диизопропилтеллура

    Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021),  9–15
  3. Электрофизические свойства нелегированных и легированных мышьяком эпитаксиальных слоев Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te $p$-типа проводимости с $x\approx$ 0.4, выращенных методом MOCVD

    Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018),  554–559


© МИАН, 2026