Котляр Константин Павлович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Рост колончатых микрокристаллов GaN комбинированным PA-MBE/HVPE методом
   
   Физика твердого тела, 67:6 (2025),  934–939
2. Рост атомарно-гладких слоев AlN на подложках Si(111) с предварительным формированием аморфного слоя Si$_x$N$_y$ методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
   
   Письма в ЖТФ, 51:14 (2025),  39–43
3. Низкотемпературный рост нитевидных и пластинчатых нанокристаллов InAs на подложках Si(100)
   
   Письма в ЖТФ, 50:7 (2024),  27–30
4. Архитектоника покрытий из наностержней оксида цинка для адсорбционных газовых сенсоров
   
   ЖТФ, 93:10 (2023),  1494–1502
5. Влияние постростовой обработки плазмой азота на структурные и оптические свойства InGaN
   
   Письма в ЖТФ, 49:5 (2023),  32–35
6. Формирование InGaAs-квантовых точек в теле AlGaAs-нитевидных нанокристаллов при молекулярно-пучковой эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  689–692
7. Самоорганизация состава пленок Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N, выращенных на гибридных подложках SiC/Si
   
   Физика твердого тела, 63:3 (2021),  363–369
8. Особенности структурных напряжений в нитевидных нанокристаллах InGaN/GaN
   
   Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  785–788
9. Формирование гексагональной фазы германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  621–624
10. Молекулярно-пучковая эпитаксия нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si(111) и Si(111): сравнительный анализ
    
    Письма в ЖТФ, 47:21 (2021),  32–35
11. Направленное излучение из квантовых точек GaAs в теле нитевидных нанокристаллов AlGaAs
    
    Письма в ЖТФ, 47:8 (2021),  47–50
12. Нелинейное просветление InAs нитевидных нанокристаллов в видимом диапазоне
    
    Оптика и спектроскопия, 128:1 (2020),  128–133
13. Синтез InGaN-наноструктур развитой морфологии на кремнии: влияние температуры подложки на морфологические и оптические свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  884–887
14. Селективный рост методом молекулярно-пучковой эпитаксии массивов нитевидных нанокристаллов GaN на процессированных SiO$_{x}$/Si-подложках
    
    Письма в ЖТФ, 46:21 (2020),  32–35
15. Эволюция ансамбля микропор в структуре SiC/Si в процессе роста методом замещения атомов
    
    Физика твердого тела, 61:3 (2019),  433–440
16. Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и свойства наноструктур InGaN разветвленной морфологии на кремниевой подложке
    
    Письма в ЖТФ, 45:21 (2019),  48–50
17. Солнечный элемент на основе нитевидных нанокристаллов с радиальным гетеропереходом
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1464–1468
18. Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и структурные свойства GaP- и InP-нитевидных нанокристаллов на SiC-подложке с пленкой графена
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1317–1320
19. Нитевидные нанокристаллы на основе фосфидных соединений, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1304–1307
20. MBE growth and structural properties of InAs and InGaAs nanowires with different mole fraction of In on Si and strongly mismatched SiC/Si(111) substrates
    
    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  522
21. The features of GaAs nanowire SEM images
    
    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  510
22. Влияние концентрации кислорода в составе газовой плазмообразующей смеси на оптические и структурные свойства пленок нитрида алюминия
    
    Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  196–200
23. Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ нитевидных нанокристаллов ультра малого диаметра на сильно рассогласованной подложке SiC/Si(111)
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1525–1529
24. Автокаталитический синтез нитевидных нанокристаллов CdTe методом магнетронного осаждения
    
    Физика твердого тела, 58:12 (2016),  2314–2318
25. Рост и оптические свойства нитевидных нанокристаллов GaN, выращенных на гибридной подложке SiC/Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Физика твердого тела, 58:10 (2016),  1886–1889