Осипова Елена Владимировна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Механизм роста эпитаксиальных слоев Ga$_2$O$_3$ методом хлорид-гидридной эпитаксии на подложке SiC/Si (110)
   
   Физика твердого тела, 67:1 (2025),  105–113
2. Влияние олова на свойства нитрида галлия, выращенного методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии
   
   Физика твердого тела, 66:8 (2024),  1338–1343
3. Фазовые превращения в слоях оксида галлия
   
   Письма в ЖТФ, 49:17 (2023),  6–9
4. Исследование этапов превращения кремния в карбид кремния в процессе атомного замещения методами полного внешнего отражения рентгеновских лучей и рентгеновской дифрактомерии
   
   Физика твердого тела, 64:3 (2022),  326–336
5. Спинтронные свойства границы раздела между Si(111) и 3$C$-SiC(111), выращенным методом согласованного замещения атомов
   
   Письма в ЖТФ, 48:20 (2022),  43–46
6. Самоорганизация состава пленок Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N, выращенных на гибридных подложках SiC/Si
   
   Физика твердого тела, 63:3 (2021),  363–369
7. Анализ водородоустойчивости алюминиевых сплавов
   
   Письма в ЖТФ, 47:4 (2021),  15–18
8. Влияние водорода на флуктуационное охрупчивание алюминия
   
   Письма в ЖТФ, 45:17 (2019),  31–34
9. Исследование анизотропных упругопластических свойств пленок $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$, синтезированных на подложках SiC/Si
   
   Физика твердого тела, 60:5 (2018),  851–856
10. Эпитаксиальный оксид галлия на подложках SiC/Si
    
    Физика твердого тела, 58:9 (2016),  1812–1817