Гращенко Александр Сергеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Построение прогнозных моделей для роста тонких пленок SiC/Si с использованием методов машинного обучения
   
   Письма в ЖТФ, 51:22 (2025),  31–35
2. Эволюция структуры при превращении Si в SiC методом самосогласованного замещения атомов
   
   Физика твердого тела, 66:7 (2024),  1133–1143
3. Изменение упругих деформаций в пленках SiC в процессе роста методом согласованного замещения атомов на подложках Si
   
   Физика твердого тела, 65:1 (2023),  71–75
4. Исследования структурных и механических свойств тонких пленок AlGaN на гибридных подложках нано-SiC/Si
   
   Физика и техника полупроводников, 57:7 (2023),  534–537
5. Тонкопленочный светодиод на основе слоев AlInGaN, выращенных на гибридных подложках SiC/Si
   
   Письма в ЖТФ, 49:15 (2023),  3–6
6. Рост пленок SiC, AlN и GaN на кремниевых изделиях произвольной геометрии для микроэлектромеханических применений
   
   Письма в ЖТФ, 49:11 (2023),  3–6
7. Самоорганизация состава пленок Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N, выращенных на гибридных подложках SiC/Si
   
   Физика твердого тела, 63:3 (2021),  363–369
8. Механические свойства композитного покрытия SiC на графите, полученного методом замещения атомов
   
   Письма в ЖТФ, 47:20 (2021),  7–10
9. Светодиод на основе AlInGaN-гетероструктур, выращенных на подложках SiC/Si и технология его изготовления
   
   Письма в ЖТФ, 47:18 (2021),  3–6
10. Особенности эпитаксиального роста III – N светодиодных гетероструктур на подложках SiC/Si
    
    Письма в ЖТФ, 47:15 (2021),  15–18
11. Исследование механических свойств эпитаксиальных слоев метастабильных $\alpha$- и $\varepsilon$-фаз Ga$_{2}$O$_{3}$ методом наноиндентирования
    
    Письма в ЖТФ, 47:14 (2021),  3–7
12. Покрытие наноструктурированной профилированной поверхности Si слоем SiC
    
    Письма в ЖТФ, 46:20 (2020),  19–22
13. Исследование методом наноиндентирования твердости и модуля Юнга в тонких приповерхностных слоях карбида кремния со стороны Si- и C-граней
    
    Письма в ЖТФ, 46:15 (2020),  36–38
14. Исследование упругих свойств пленок SiC, синтезированных на подложках Si методом замещения атомов
    
    Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2313–2315
15. Эволюция ансамбля микропор в структуре SiC/Si в процессе роста методом замещения атомов
    
    Физика твердого тела, 61:3 (2019),  433–440
16. Фотоэлектрические свойства слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с плазменной активацией на подложках Si(111) и эпитаксиальных слоях SiC на Si(111)
    
    Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  190–198
17. Рост полупроводниковых III–V гетероструктур на подложках SiC/Si
    
    Письма в ЖТФ, 45:14 (2019),  24–27
18. Исследование анизотропных упругопластических свойств пленок $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$, синтезированных на подложках SiC/Si
    
    Физика твердого тела, 60:5 (2018),  851–856
19. Фотоэлектрические характеристики структур карбид кремния–кремний, выращенных методом замещения атомов в кристаллической решетке кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  651–658
20. Эффект воздействия $n$- и $p$-типа проводимости подложки Si(100) с буферным слоем SiC на механизм роста и структуру эпитаксиальных слоев полуполярных AlN и GaN
    
    Физика твердого тела, 57:10 (2015),  1916–1921
21. Наноиндентирование и деформационные свойства наномасштабных пленок карбида кремния на кремнии
    
    Письма в ЖТФ, 40:24 (2014),  53–59