Антонов Иван Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. In situ исследование роста филаментов в пленках стабилизированного диоксида циркония методом контактной емкостной атомно-силовой микроскопии
   
   Физика твердого тела, 67:8 (2025),  1441–1445
2. Влияние концентрации вакансий кислорода на параметры резистивного переключения в мемристорных структурах на основе ZrO$_2$(Y)
   
   ЖТФ, 95:9 (2025),  1733–1743
3. Мемристоры для энергонезависимой резистивной памяти на основе двухслойного диэлектрика Al$_2$O$_3$/ZrO$_2$(Y)
   
   ЖТФ, 94:11 (2024),  1833–1842
4. Формирование вертикального графена на поверхности арсенид-галлиевых структур
   
   Физика твердого тела, 65:4 (2023),  669–675
5. Резистивное переключение мемристоров на основе эпитаксиальных гетероструктур $p$-Si/$p$-Ge/$n^+$-Si(001) с Ru- и Ag-электродами
   
   Письма в ЖТФ, 49:1 (2023),  5–8
6. Изучение оптически наведенного заряда наночастиц Au в пленках ZrO$_2$(Y) методом сканирующей Кельвин-зонд микроскопии
   
   ЖТФ, 92:12 (2022),  1937–1942
7. Исследование влияния оптического излучения на резистивное переключение МДП-структур на основе ZrO$_2$(Y) на подложках Si(001) с наноостровками Ge
   
   Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022),  723–727
8. Воздействие импульсов эксимерного лазера на светоизлучающие InGaAs/GaAs-структуры с (Ga, Mn)As-слоем
   
   Физика твердого тела, 63:3 (2021),  346–355
9. Резистивное переключение в отдельных ферромагнитных филаментах мемристорных структур на основе ZrO$_{2}$(Y)/Ni
   
   ЖТФ, 91:10 (2021),  1474–1478
10. Влияние оптического излучения на резистивное переключение в МДП-структурах на основе пленок ZrO$_{2}$(Y) с наночастицами Au
    
    Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  754–757
11. Демонстрация эффекта резистивного переключения отдельных филаментов в мемристорных структурах Ag/Ge/Si методом атомно-силовой микроскопии
    
    Письма в ЖТФ, 47:15 (2021),  23–26
12. Формирование наноразмерных ферромагнитных филаментов Ni в пленках ZrO$_{2}$(Y)
    
    Письма в ЖТФ, 47:11 (2021),  30–32
13. Резистивное переключение мемристоров на основе стабилизированного диоксида циркония сложными сигналами
    
    Физика твердого тела, 62:4 (2020),  556–561
14. Исследование резонансной активации резистивного переключения в пленках ZrO$_{2}$(Y) методом атомно-силовой микроскопии
    
    ЖТФ, 90:11 (2020),  1825–1829
15. Резистивное переключение в структурах металл–оксид–полупроводник с наноостровками GeSi на подложке кремния
    
    ЖТФ, 90:10 (2020),  1741–1749
16. Электрофизические характеристики многослойных мемристивных наноструктур на основе стабилизированного иттрием диоксида циркония и оксида тантала
    
    ЖТФ, 90:2 (2020),  298–304
17. Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур на основе GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1336–1343
18. Формирование углеродных слоев методом термического разложения четыреххлористого углерода в реакторе МОС-гидридной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  801–806
19. Резистивное переключение в мемристорах на основе гетероструктур Ag/Ge/Si
    
    Письма в ЖТФ, 46:2 (2020),  44–46
20. Исследование резистивного переключения нестационарными сигналами в пленках ZrO$_{2}$(Y) методом атомно-силовой микроскопии
    
    ЖТФ, 89:11 (2019),  1669–1673
21. Механизмы токопереноса и резистивного переключения в конденсаторах со слоями стабилизированного иттрием диоксида гафния
    
    ЖТФ, 89:6 (2019),  927–934
22. Влияние облучения ионами Si$^{+}$ на резистивное переключение мемристивных структур на основе стабилизированного диоксида циркония
    
    Письма в ЖТФ, 45:14 (2019),  3–6
23. Исследование особенностей формирования и свойств полупроводников А$^{3}$В$^{5}$, сильно легированных железом
    
    Физика твердого тела, 60:11 (2018),  2137–2140
24. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия пленок стабилизированного диоксида циркония со встроенными наночастицами Au, сформированными в процессе облучения ионами золота
    
    Физика твердого тела, 60:3 (2018),  591–595
25. Особенности поведения МДП мемристоров с нанослоем Si$_{3}$N$_{4}$, изготовленных на основе проводящей подложки Si
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1436–1442
26. Влияние состава газа-носителя в процессе роста дельта-слоя Mn на электрические и магнитные свойства GaAs-структур
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1286–1290
27. Plasmon resonance induced photoconductivity in the yttria stabilized zirconia films with embedded Au nanoclusters
    
    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  470
28. Особенности переключения мемристорных структур в высокоомное состояние пилообразными импульсами
    
    Письма в ЖТФ, 44:24 (2018),  88–93
29. Однофазные эпитаксиальные слои InFeSb с температурой Кюри выше комнатной
    
    Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2200–2202
30. Особенности селективного легирования марганцем GaAs структур
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1468–1472
31. Изменение иммитанса при электроформовке и резистивном переключении в мемристивных структурах “металл–диэлектрик–металл” на основе SiO$_{x}$
    
    ЖТФ, 86:5 (2016),  107–111
32. Электрические и фотоэлектрические свойства структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе Si с наночастицами Au на границе раздела диэлектрик/полупроводник
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1639–1643
33. Электрофизические свойства структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе $n$-GaAs с квантовыми точками InAs, выращенными на поверхности слоя $n$-GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1615–1619
34. Стимулированное светом резистивное переключение в структурах металл–диэлектрик–полупроводник на основе кремния
    
    Письма в ЖТФ, 42:10 (2016),  78–84
35. Резистивное переключение в мемристивных структурах Au/SiO$_{x}$/TiN/Ti с различными геометрическими параметрами и стехиометрией диэлектрической пленки
    
    Письма в ЖТФ, 42:10 (2016),  17–24
36. Особенности явления неравновесного обеднения, сопровождаемого процессами захвата неосновных носителей поверхностными состояниями, в структурах металл–диэлектрик–полупроводник
    
    Письма в ЖТФ, 42:3 (2016),  52–60
37. Формирование плотных массивов наночастиц золота в тонких пленках стабилизированного диоксида циркония методом магнетронного распыления
    
    Письма в ЖТФ, 42:1 (2016),  72–79
38. Влияние облучения ионами H$^+$ и Ne$^+$ на резистивное переключение в мемристивных структурах “металл–диэлектрик–металл” на основе SiO$_x$
    
    Письма в ЖТФ, 41:19 (2015),  81–89
39. Формирование нанокристаллов Au$_4$Zr в стабилизированном диоксиде циркония в процессе имплантации ионов золота
    
    Письма в ЖТФ, 41:11 (2015),  62–70
40. Процесс формовки в элементах резистивной памяти на основе структур металл–диэлектрик–полупроводник
    
    Письма в ЖТФ, 40:19 (2014),  18–26
41. Конденсаторы с нелинейными характеристиками на основе стабилизированного диоксида циркония с встроенными наночастицами золота
    
    Письма в ЖТФ, 40:9 (2014),  9–16
42. Резистивное переключение в структурах “металл–диэлектрик–металл” на основе оксида германия и стабилизированного диоксида циркония
    
    Письма в ЖТФ, 40:3 (2014),  12–19
43. Влияние предварительного окислительного отжига на свойства пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом, активированным Er и Yb
    
    Физика твердого тела, 55:2 (2013),  265–269
44. Особенности пиннинга уровня Ферми на границе раздела Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As с анодным оксидом и стабилизированным диоксидом циркония
    
    Письма в ЖТФ, 39:23 (2013),  72–79
45. Влияние ионной имплантации фосфора на оптические свойства тонких пленок диоксида германия, легированных ионами Er$^{3+}$ и Yb$^{3+}$
    
    Письма в ЖТФ, 38:5 (2012),  71–77
46. Особенности формирования нанокристаллов золота в стабилизированном диоксиде циркония методом ионной имплантации
    
    Письма в ЖТФ, 38:4 (2012),  60–65
47. Стохастическая диссоциация бризеров уравнения Cинус-Гордона во внешних полях
    
    Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 8:2 (2008),  34–39