Моисеев Константин Дмитриевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Геометрия квантовых точек InSb, выращенных на поверхности матричного слоя In(As,Sb)
   
   Физика твердого тела, 67:8 (2025),  1426–1431
2. Проводимость наноконтакта к A$^{\mathrm{III}}$As- и A$^{\mathrm{III}}$Sb-полупроводникам со слоем естественного оксида
   
   Письма в ЖТФ, 50:11 (2024),  42–46
3. Особенности энергетической структуры эпитаксиального слоя InAsSbP при осаждении на поверхность твердого раствора InAs$_{1-y}$Sb$_y$
   
   Физика твердого тела, 65:10 (2023),  1707–1714
4. Излучательная рекомбинация в разъединенном гетеропереходе II типа InAs/InSb с квантовыми точками на интерфейсе
   
   Физика твердого тела, 65:4 (2023),  645–651
5. Стимулированное излучение в гетероструктурах InAs/InAsSb/InAsSbP с асимметричным электронным ограничением
   
   Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  876–881
6. Определение зонной диаграммы гетероперехода InAs$_{1-y}$Sb$_{y}$/InAsSbP в интервале составов $y<$ 0.2
   
   Физика твердого тела, 63:4 (2021),  475–482
7. Подавление температурной зависимости длины волны излучения в светодиодных структурах со ступенчатым гетеропереходом II типа InAsSb/InAsSbP
   
   Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021),  277–281
8. Формирование гетероперехода II типа в полупроводниковой структуре InAsSb/InAsSbP
   
   Физика твердого тела, 62:11 (2020),  1822–1827
9. Длинноволновые светодиоды в окне прозрачности атмосферы 4.6 – 5.3 мкм
   
   Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020),  202–206
10. Узкозонные гетероструктуры InAs$_{1-y}$Sb$_{y}$/InAsSbP ($y$ = 0.09–0.16) для спектрального диапазона 4–6 $\mu$m, полученные методом МОГФЭ
    
    Физика твердого тела, 61:10 (2019),  1746–1753
11. Открытие полупроводников A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$: физические свойства и применение (Обзор)
    
    Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  291–308
12. Проявление эффектов магнитного упорядочения в проводимости и намагниченности полупроводниковых гетероструктур на основе GaAs при изменении концентрации дельта-слоя примесей марганца
    
    Физика твердого тела, 60:12 (2018),  2325–2330
13. Перестройка спектров электролюминесценции в гетероструктурах II типа $n$-InAs/$n$-InAsSbP
    
    Физика твердого тела, 60:3 (2018),  585–590
14. Дельта-легирование соединениями марганца гетероструктур на основе GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1189–1195
15. Квантовые точки InSb, полученные методом жидкофазной эпитаксии на подложке InGaAsSb/GaSb
    
    Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1146–1150
16. Особенности формирования эпитаксиальных слоев InAsSbP на подложке InAs методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
    
    Физика твердого тела, 58:11 (2016),  2203–2207
17. Особенности переноса заряда и ферромагнитный порядок в полупроводниковых гетероструктурах с $\delta$-легированием марганцем
    
    Физика твердого тела, 58:11 (2016),  2160–2163
18. Квантовые точки в системе InSb/GaSb, выращенные методом жидкофазной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  993–996
19. Влияние поверхности многокомпонентной матрицы InAsSbP на формирование квантовых точек InSb при наращивании методом МОГФЭ
    
    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  927–931
20. Высокотемпературная интерфейсная электролюминесценция в разъединенных гетероструктурах II рода на основе квантовых штрихов InSb в матрице $n$-InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 48:7 (2014),  938–943
21. Эпитаксиальные слои InAsSbP с предельным содержанием фосфора, изоморфные с подложкой InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014),  753–758
22. Особенности электролюминесценции в гетероструктурах с квантовыми точками InSb в матрице InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1536–1541
23. Особенности формирования наноразмерных объектов в системе InSb/InAs методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений
    
    Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  420–425
24. Двухцветная люминесценция в одиночной гетероструктуре II типа InAsSbP/InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  30–35
25. Интерфейсная электролюминесценция в изотипном гетеропереходе II типа InAs/InAsSbP при комнатной температуре
    
    Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1386–1391
26. Особенности получения разбавленных магнитных полупроводников в системе узкозонных твердых растворов GaInAsSb
    
    Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  788–793
27. Фотовольтаический детектор на основе гетероструктуры II типа с глубокой квантовой ямой AlSb/InAsSb/AlSb в активной области для среднего инфракрасного диапазона
    
    Физика и техника полупроводников, 45:2 (2011),  251–255
28. Электролюминесценция в гетероструктурах II типа $p$-InAs/AlSb/InAsSb/AlSb/$p(n)$-GaSb с глубокими квантовыми ямами на гетерогранице
    
    Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010),  69–74