Спиридонов Владислав Алексеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Амплитудно-зависимое внутреннее трение и модуль упругости в монокристаллах твердого раствора Ga$_2$O$_3$–Al$_2$O$_3$
   
   Физика твердого тела, 67:10 (2025),  2008–2013
2. Рост методом Чохральского полуизолирующих объемных кристаллов $\beta$-Ga$_2$O$_3$, легированных железом, с удельным сопротивлением 160 G$\Omega$ $\cdot$ cm
   
   Письма в ЖТФ, 51:5 (2025),  57–60
3. Исследование угловой и температурной зависимости примесной Cr$^{3+}$ люминесценции $\beta$-Ga$_2$O$_3$
   
   Физика твердого тела, 66:12 (2024),  2185–2188
4. Об успешном опыте гомоэпитаксии слоев $\beta$-Ga$_2$O$_3$ на собственных подложках
   
   Письма в ЖТФ, 50:7 (2024),  43–46
5. Исследование Cr$^{3+}$ примесной люминесценции в протонно-облученном $\beta$-Ga$_2$O$_3$
   
   Физика и техника полупроводников, 57:7 (2023),  573–576
6. Особенности люминесценции объемных кристаллов $\beta$-(Ga$_x$Al$_{1-x}$)$_2$O$_3$
   
   Физика и техника полупроводников, 56:4 (2022),  389–393
7. Исследование ловушек носителей заряда в объемном оксиде галлия $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$
   
   Физика твердого тела, 63:4 (2021),  421–426
8. Элементное и структурное картирование объемных кристаллов (Al$_{x}$Ga$_{1-x}$)$_{2}$O$_{3}$, полученных методом Чохральского
   
   Письма в ЖТФ, 47:5 (2021),  19–22
9. Выращивание объемных кристаллов оксида галлия из расплава методом Чохральского в кислородсодержащей атмосфере
   
   Письма в ЖТФ, 46:22 (2020),  43–45