Закгейм Дмитрий Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Исследование ловушек носителей заряда в объемном оксиде галлия $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$
   
   Физика твердого тела, 63:4 (2021),  421–426
2. Элементное и структурное картирование объемных кристаллов (Al$_{x}$Ga$_{1-x}$)$_{2}$O$_{3}$, полученных методом Чохральского
   
   Письма в ЖТФ, 47:5 (2021),  19–22
3. Выращивание объемных кристаллов оксида галлия из расплава методом Чохральского в кислородсодержащей атмосфере
   
   Письма в ЖТФ, 46:22 (2020),  43–45
4. Изолирующие слои GaN, совместно легированные железом и углеродом
   
   Письма в ЖТФ, 45:14 (2019),  36–39
5. Влияние метода формирования высокоомного буферного слоя GaN на свойства гетероструктур InAlN/GaN и AlGaN/GaN с двумерным электронным газом
   
   Письма в ЖТФ, 44:13 (2018),  51–58
6. Способ получения пленок ITO с контролируемым значением показателя преломления
   
   Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  1001–1006
7. Расчет оптимальной конфигурации двухслойной пленки ITO для использования в составе отражающих контактов светодиодов синего и ближнего ультрафиолетового диапазонов
   
   Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  994–998
8. Применение двухслойных пленок ITO в составе отражающих контактов светодиодов синего и ближнего ультрафиолетового диапазонов
   
   Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1713–1718
9. Мощные светодиодные кристаллы AlGaInN с двухуровневой металлизацией
   
   Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1287–1293
10. Увеличение квантовой эффективности флип-чип AlGaInN-светодиодов путем реактивного ионного травления внешней стороны подложек SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010),  684–687