|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Исследование ловушек носителей заряда в объемном оксиде галлия $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$
Физика твердого тела, 63:4 (2021), 421–426
-
Низкотемпературный синтез стеклокерамики с кристаллитами YNbO$_{4}$ : Tb$^{3+}$
Оптика и спектроскопия, 129:11 (2021), 1417–1423
-
Низкотемпературный синтез стеклокерамики с кристаллитами YNbO$_{4}$ : Eu$^{3+}$
Оптика и спектроскопия, 129:2 (2021), 207–213
-
Электронная структура ультратонкой пленки окисла молибдена
Физика твердого тела, 62:10 (2020), 1618–1626
-
Влияние адсорбции атомов натрия и прогрева на наночастицы золота, адсорбированные на вольфраме
Физика твердого тела, 62:8 (2020), 1171–1178
-
Synthesis and luminescent properties of gadolinium tantalum niobates Gd(Nb$_{0.9}$Ta$_{0.1})$O$_{4}$
Оптика и спектроскопия, 128:2 (2020), 228
-
Electronic structure of molybdenum oxide oxidized at different pressures
Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1395
-
Структурные, электрические и оптические свойства 4$H$-SiC для ультрафиолетовых фотоприемников
Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1368–1373
-
Структурные и оптические характеристики ультрафиолетовых 4$H$-SiC-детекторов, облученных ионами аргона
Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020), 1244–1248
-
Влияние температуры на характеристики 4$H$-SiC-фотоприемника
Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 195–201
-
Электронная структура молибдена, окисленного на воздухе
Физика твердого тела, 61:11 (2019), 2024–2029
-
Ловушки в нанокомпозитном слое кремний-диоксид кремния и их влияние на люминесцентные свойства
Физика твердого тела, 61:8 (2019), 1448–1454
-
Исследование контаминационной пленки, формирующейся под действием электронного пучка
ЖТФ, 89:9 (2019), 1412–1419
-
Облучение протонами 4$H$-SiC фотоприемников с барьером Шоттки
Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 856–861
-
Эволюция проводимости и катодолюминесценции пленок оксида гафния при изменении концентрации вакансий кислорода
Физика твердого тела, 60:10 (2018), 2006–2013
-
Eu$^{3+}$ как люминесцентный зонд для исследования структуры R$_{2}$O$_{3}$-материалов (R – Y, Eu и Gd)
Оптика и спектроскопия, 125:2 (2018), 180–186
-
Исследование параметров наноразмерного слоя в наногетероструктурах на основе полупроводниковых соединений A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$
Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 56–62
-
Трансформация точечных дефектов в диоксиде кремния в процессе отжига
Физика твердого тела, 58:10 (2016), 1895–1898
-
Исследование параметров наноразмерного слоя в наногетероструктурах на основе полупроводниковых соединений A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$
Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1726
-
Рост нанокластеров кремния в термическом диоксиде кремния при отжиге в атмосфере азота
Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016), 807–810
-
Получение кристаллов полиэлементных твердых растворов гексаборидов РЗМ
Письма в ЖТФ, 42:1 (2016), 3–8
-
Пластины кристаллического GaN большой площади
Письма в ЖТФ, 41:5 (2015), 84–90
© , 2026