Шарофидинов Шукрилло Шамсидинович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Полуполярный нитрид алюминия: эпитаксия объемного материала на наноструктурированной кремниевой подложке
   
   Письма в ЖТФ, 52:4 (2026),  25–28
2. Рост колончатых микрокристаллов GaN комбинированным PA-MBE/HVPE методом
   
   Физика твердого тела, 67:6 (2025),  934–939
3. Механизм роста эпитаксиальных слоев Ga$_2$O$_3$ методом хлорид-гидридной эпитаксии на подложке SiC/Si (110)
   
   Физика твердого тела, 67:1 (2025),  105–113
4. Исследование влияния наноструктурированных AlN/Si(100)-темплейтов на рост полуполярных слоев AlN$(10\bar11)$
   
   Физика и техника полупроводников, 59:1 (2025),  3–7
5. Эпитаксия AlN$(11\bar{2}2)$-слоев на GaN$(11\bar{2}2)$/$m$-Al$_2$О$_3$-темплейте методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 51:16 (2025),  42–44
6. Влияние олова на свойства нитрида галлия, выращенного методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии
   
   Физика твердого тела, 66:8 (2024),  1338–1343
7. HVPE эпитаксия полуполярных AlN(10$\bar{1}$1) слоев на темплейте AlN/Si(100)
   
   Физика и техника полупроводников, 58:9 (2024),  474–477
8. Исследование Cr$^{3+}$ примесной люминесценции в протонно-облученном $\beta$-Ga$_2$O$_3$
   
   Физика и техника полупроводников, 57:7 (2023),  573–576
9. Исследования структурных и механических свойств тонких пленок AlGaN на гибридных подложках нано-SiC/Si
   
   Физика и техника полупроводников, 57:7 (2023),  534–537
10. Фазовые превращения в слоях оксида галлия
    
    Письма в ЖТФ, 49:17 (2023),  6–9
11. Рост пленок SiC, AlN и GaN на кремниевых изделиях произвольной геометрии для микроэлектромеханических применений
    
    Письма в ЖТФ, 49:11 (2023),  3–6
12. Структура и свойства композитов на основе нитридов алюминия и галлия, выращенных на кремнии разной ориентации с буферным слоем карбида кремния
    
    Физика твердого тела, 64:5 (2022),  522–527
13. Режимы роста пленок нитрида алюминия на гибридных подложках SiC/Si(111)
    
    Физика твердого тела, 64:1 (2022),  117–124
14. Рост тонкопленочных AlGaN/GaN эпитаксиальных гетероструктур на гибридных подложках, содержащих слои карбида кремния и пористого кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 56:6 (2022),  547–552
15. Особенности зарождения и роста нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si методом хлорид-гидридной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 48:4 (2022),  24–28
16. Релаксация напряжений несоответствия в гетероструктурах $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$/$\alpha$-Al$_{2}$O$_{3}$ при образовании дислокаций несоответствия
    
    Физика твердого тела, 63:6 (2021),  788–795
17. Самоорганизация состава пленок Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N, выращенных на гибридных подложках SiC/Si
    
    Физика твердого тела, 63:3 (2021),  363–369
18. Влияние предобработки подложки кремния на свойства пленок GaN, выращенных методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  704–710
19. Диэлектрические и пироэлектрические свойства композитов на основе нитридов алюминия и галлия, выращенных методом хлорид-гидридной эпитаксии на подложке карбида кремния на кремнии
    
    Письма в ЖТФ, 47:9 (2021),  7–10
20. Бипланарные эпитаксиальные AlN/SiC/$(n,p)$SiC-структуры для приборов высокотемпературной функциональной электроники
    
    ЖТФ, 90:3 (2020),  450–455
21. Рост объемных эпитаксиальных пленок AlN полуполярной ориентации на подложках Si (001) и гибридных подложках SiC/Si (001)
    
    Письма в ЖТФ, 46:11 (2020),  22–25
22. Особенности пироэффекта в эпитаксиальных слоях нитрида алюминия, полученных на Si-подложках
    
    Письма в ЖТФ, 46:1 (2020),  20–23
23. Влияние ориентации кремниевой подложки с буферным подслоем карбида кремния на диэлектрические и полярные свойства пленок нитрида алюминия
    
    Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2379–2384
24. Новый метод получения объемных кристаллов AlN, GaN и AlGaN с использованием гибридных подложек SiC/Si
    
    Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2338–2343
25. Метод управления полярностью слоев GaN при эпитаксиальном синтезе GaN/AlN гетероструктур на гибридных подложках SiC/Si
    
    Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2289–2293
26. Рост полупроводниковых III–V гетероструктур на подложках SiC/Si
    
    Письма в ЖТФ, 45:14 (2019),  24–27
27. Исследование пироэффекта в AlN-эпитаксиальных слоях
    
    Письма в ЖТФ, 44:16 (2018),  11–19
28. Хлоридная эпитаксия слоев $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$ на сапфировых подложках базисной ориентации
    
    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  997–1000
29. Снижение трещинообразования при росте AlN на подложках Si методом хлоридно-гидридной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016),  549–552
30. Эпитаксия GaN в полуполярном направлении на подложке Si(210)
    
    Письма в ЖТФ, 39:6 (2013),  1–8
31. Эпитаксия нитрида галлия в полуполярном направлении на кремнии
    
    Письма в ЖТФ, 38:1 (2012),  21–26
32. Нитрид алюминия на кремнии: роль промежуточного SiC слоя и технологии хлоридной газофазной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 36:11 (2010),  17–23