Кремлева Арина Валерьевна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Эпитаксия AlN$(11\bar{2}2)$-слоев на GaN$(11\bar{2}2)$/$m$-Al$_2$О$_3$-темплейте методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 51:16 (2025),  42–44
2. Фазовые превращения в слоях оксида галлия
   
   Письма в ЖТФ, 49:17 (2023),  6–9
3. Особенности люминесценции объемных кристаллов $\beta$-(Ga$_x$Al$_{1-x}$)$_2$O$_3$
   
   Физика и техника полупроводников, 56:4 (2022),  389–393
4. Релаксация напряжений несоответствия в гетероструктурах $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$/$\alpha$-Al$_{2}$O$_{3}$ при образовании дислокаций несоответствия
   
   Физика твердого тела, 63:6 (2021),  788–795
5. Исследование ловушек носителей заряда в объемном оксиде галлия $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$
   
   Физика твердого тела, 63:4 (2021),  421–426
6. Элементное и структурное картирование объемных кристаллов (Al$_{x}$Ga$_{1-x}$)$_{2}$O$_{3}$, полученных методом Чохральского
   
   Письма в ЖТФ, 47:5 (2021),  19–22
7. Выращивание объемных кристаллов оксида галлия из расплава методом Чохральского в кислородсодержащей атмосфере
   
   Письма в ЖТФ, 46:22 (2020),  43–45
8. Анализ дефектов упаковки в нитриде галлия с использованием преобразования Фурье высокоразрешающих изображений
   
   Письма в ЖТФ, 40:24 (2014),  60–68