Крюков Руслан Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние концентрации вакансий кислорода на параметры резистивного переключения в мемристорных структурах на основе ZrO$_2$(Y)
   
   ЖТФ, 95:9 (2025),  1733–1743
2. Формирование ферромагнитного полупроводника GaMnAs ионной имплантацией: сравнение разных типов отжига
   
   Физика твердого тела, 66:10 (2024),  1686–1698
3. Ферромагнетизм в GaAs структурах, дельта-легированных Fe
   
   Физика твердого тела, 66:9 (2024),  1535–1540
4. Гальваномагнитные свойства слоев GaMnAs, полученных ионной имплантацией: роль энергии ионов Mn$^+$
   
   Физика твердого тела, 66:6 (2024),  871–876
5. Мемристоры для энергонезависимой резистивной памяти на основе двухслойного диэлектрика Al$_2$O$_3$/ZrO$_2$(Y)
   
   ЖТФ, 94:11 (2024),  1833–1842
6. Влияние высокотемпературного отжига на физико-химические свойства систем на основе FeSi$_x$
   
   Физика твердого тела, 65:3 (2023),  509–512
7. Влияние температуры роста на физико-химические свойства слоев низкотемпературного GaAs, созданных методом импульсного лазерного напыления
   
   Письма в ЖТФ, 49:4 (2023),  11–14
8. Диодные гетероструктуры с ферромагнитными узкозонными полупроводниками A$^{3}$FeB$^{5}$ разного типа проводимости
   
   Физика твердого тела, 63:7 (2021),  866–873
9. Сравнение гетероструктур А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$, выращенных на платформах Ge/Si, Ge/SOI и GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  978–988
10. Легирование углеродных нанослоев, выращенных импульсным лазерным методом
    
    Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  637–643
11. Влияние состава зародышевого слоя AlGaAs на формирование антифазных доменов в структурах (Al)GaAs, выращенных газофазной эпитаксией на подложках Ge/Si(100)
    
    Письма в ЖТФ, 47:8 (2021),  37–40
12. Наращивание слоя Ge на структуру Si/SiO$_{2}$/Si (100) методом “горячей проволоки”
    
    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1129–1133
13. Углеродные пленки, полученные импульсным лазерным методом, и их влияние на свойства GaAs-структур
    
    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  868–872
14. Формирование углеродных слоев методом термического разложения четыреххлористого углерода в реакторе МОС-гидридной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  801–806
15. Исследования поперечного среза и фотолюминесценции слоя GaAs, выращенного на подложке Si/Al$_{2}$O$_{3}$
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1271–1274
16. Комплексное применение спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции для диагностики многослойных гетероструктур
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1233–1236
17. Исследование особенностей формирования и свойств полупроводников А$^{3}$В$^{5}$, сильно легированных железом
    
    Физика твердого тела, 60:11 (2018),  2137–2140
18. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия пленок стабилизированного диоксида циркония со встроенными наночастицами Au, сформированными в процессе облучения ионами золота
    
    Физика твердого тела, 60:3 (2018),  591–595
19. Формирование контактов MnGa/GaAs для применений в оптоэлектронике и спинтронике
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1463–1468
20. Ферромагнитный инжектор CoPt в светоизлучающих диодах Шоттки на основе наноразмерных структур InGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1649–1653
21. Химический и фазовый состав спиновых светоизлучающих диодов GaMnAs/GaAs/InGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014),  839–844