Ведь Михаил Владиславович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Управление магнитными характеристиками спиновых светодиодов с магнитной системой “дельта-слой Mn–квантовая яма InGaAs/GaAs” за счет дельта-легирования акцепторной примесью
   
   Физика твердого тела, 67:7 (2025),  1348–1353
2. Магнитоуправляемый спиновый светоизлучающий диод
   
   УФН, 195:5 (2025),  543–556
3. Модификация функциональных характеристик спиновых светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs/Al$_2$O$_3$/CoPt
   
   Физика твердого тела, 66:2 (2024),  184–189
4. Диодные гетероструктуры с ферромагнитными узкозонными полупроводниками A$^{3}$FeB$^{5}$ разного типа проводимости
   
   Физика твердого тела, 63:7 (2021),  866–873
5. Циркулярно поляризованная электролюминесценция при комнатной температуре в гетероструктурах на основе разбавленного магнитного полупроводника GaAs:Fe
   
   Письма в ЖТФ, 47:20 (2021),  38–41
6. Фотолюминесценция с временным разрешением в гетероструктурах с квантовыми ямами InGaAs:Cr/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1139–1144
7. Углеродные пленки, полученные импульсным лазерным методом, и их влияние на свойства GaAs-структур
   
   Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  868–872
8. Циркулярно поляризованная электролюминесценция спиновых светодиодов c ферромагнитным инжектором (In,Fe)Sb
   
   Письма в ЖТФ, 46:14 (2020),  17–20
9. Дальнодействующее магнитное взаимодействие в гетероструктурах InGaAs/GaAs/$\delta$-$\langle$Mn$\rangle$
   
   Письма в ЖТФ, 46:2 (2020),  40–43
10. Усиленная фотолюминесценция сильно легированных слоев Ge/Si(001) $n$-типа проводимости
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1293–1296
11. Диодные структуры на основе магнитных гетеропереходов (In, Fe)Sb/GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 45:13 (2019),  33–36
12. Повышение рабочей температуры спиновых светоизлучающих диодов (Ga,Mn)As/GaAs путeм постростовых воздействий
    
    Физика твердого тела, 60:11 (2018),  2141–2146
13. Фоторезистивный детектор циркулярно-поляризованного излучения на основе МДП-структуры со слоем CoPt
    
    Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2203–2205
14. Управление циркулярной поляризацией электролюминесценции в спиновых светоизлучающих диодах на основе гетероструктур InGaAs/GaAs/$\delta$ $\langle$Mn$\rangle$
    
    Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2142–2147
15. Методы управления спиновой инжекцией в спиновых светоизлучающих диодах InGaAs/GaAs/Al$_{2}$O$_{3}$/CoPt
    
    Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2135–2141
16. Туннелирование и инжекция в ферромагнитных структурах InGaAs/GaAs/(Ga,Mn)As и InGaAs/$n^{+}$-GaAs/(Ga,Mn)As
    
    Физика твердого тела, 58:11 (2016),  2190–2194
17. Ферромагнитный инжектор CoPt в светоизлучающих диодах Шоттки на основе наноразмерных структур InGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1649–1653
18. Циркулярно-поляризованная электролюминесценция светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs/(A$^{\mathrm{III}}$, Mn)B$^{\mathrm{V}}$ на основе структур с туннельным барьером
    
    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1497–1500