Дементьев Петр Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Геометрия квантовых точек InSb, выращенных на поверхности матричного слоя In(As,Sb)
   
   Физика твердого тела, 67:8 (2025),  1426–1431
2. Влияние содержания иттрия на люминесцентные свойства и локализацию заряда в керамике (0.23ZrO$_2$–0.77HfO$_2$)–Y$_2$O$_3$–Eu$_2$O$_3$
   
   Оптика и спектроскопия, 133:12 (2025),  1344–1349
3. Влияние содержания иттрия на люминесцентные свойства кубической керамики HfO$_2$–Y$_2$O$_3$–Eu$_2$O$_3$
   
   Оптика и спектроскопия, 133:1 (2025),  19–23
4. Спектроскопия остовных уровней при адсорбции атомов натрия на поверхности золотых наночастиц
   
   Физика твердого тела, 66:9 (2024),  1477–1482
5. Эволюция состава естественного окисла на поверхности Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As(100) при взаимодействии с водным раствором сульфида натрия
   
   Физика и техника полупроводников, 58:11 (2024),  636–643
6. Разработка методики количественного сравнения оптической мощности самосветящихся кристаллов
   
   Письма в ЖТФ, 50:7 (2024),  12–16
7. Субмонослойные покрытия натрия на поверхности золотой пленки
   
   Физика твердого тела, 65:9 (2023),  1482–1490
8. Люминесцентные свойства керамики ZrHfYEuO
   
   Оптика и спектроскопия, 131:10 (2023),  1359–1364
9. Адсорбция натрия на поверхности термически окисленного вольфрама
   
   Физика твердого тела, 64:6 (2022),  739–745
10. Особенности люминесценции объемных кристаллов $\beta$-(Ga$_x$Al$_{1-x}$)$_2$O$_3$
    
    Физика и техника полупроводников, 56:4 (2022),  389–393
11. Низкотемпературные электрические свойства CVD графена на LiNbO$_3$: акустические исследования
    
    Физика и техника полупроводников, 56:1 (2022),  120–127
12. Влияние адсорбции атомов натрия на электронную структуру золотой пленки
    
    Письма в ЖТФ, 48:16 (2022),  43–46
13. Электронная структура термически окисленного вольфрама
    
    Физика твердого тела, 63:8 (2021),  1166–1171
14. Исследование ловушек носителей заряда в объемном оксиде галлия $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$
    
    Физика твердого тела, 63:4 (2021),  421–426
15. Оптические и электронные свойства пассивированных поверхностей InP(001)
    
    Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  644–648
16. Электронная структура ультратонкой пленки окисла молибдена
    
    Физика твердого тела, 62:10 (2020),  1618–1626
17. Влияние адсорбции атомов натрия и прогрева на наночастицы золота, адсорбированные на вольфраме
    
    Физика твердого тела, 62:8 (2020),  1171–1178
18. Electronic structure of molybdenum oxide oxidized at different pressures
    
    Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1395
19. Электронная структура молибдена, окисленного на воздухе
    
    Физика твердого тела, 61:11 (2019),  2024–2029
20. Ловушки в нанокомпозитном слое кремний-диоксид кремния и их влияние на люминесцентные свойства
    
    Физика твердого тела, 61:8 (2019),  1448–1454
21. Исследование влияния водородного травления поверхности SiC на последующий процесс формирования пленок графена
    
    ЖТФ, 89:12 (2019),  1940–1946
22. Исследование контаминационной пленки, формирующейся под действием электронного пучка
    
    ЖТФ, 89:9 (2019),  1412–1419
23. Эволюция физико-химических свойств поверхности GaSb(100) в растворах сульфида аммония
    
    Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  908–916
24. Топологические поверхностные состояния фермионов Дирака в термоэлектриках $n$-Bi$_{2}$Te$_{3-y}$Se$_{y}$
    
    Физика и техника полупроводников, 53:5 (2019),  654–658
25. Новый тип углеродной наноструктуры на вицинальной поверхности SiС(111)-8$^\circ$
    
    Письма в ЖТФ, 45:5 (2019),  17–20
26. Исследование нанокристаллов CsPbBr$_{3}$ и их агломератов с помощью методов комбинированной сканирующей зондовой микроскопии и оптической спектрометрии
    
    Оптика и спектроскопия, 125:6 (2018),  752–757
27. Спектроскопия остовного уровня атомов углерода C 1$s$ на поверхности эпитаксиального слоя SiC/Si(111) 4$^\circ$ и интерфейса Cs/SiC/Si(111) 4$^\circ$
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1348–1352
28. Квантовые точки в системе InSb/GaSb, выращенные методом жидкофазной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  993–996
29. Влияние поверхности многокомпонентной матрицы InAsSbP на формирование квантовых точек InSb при наращивании методом МОГФЭ
    
    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  927–931
30. Индуцированные поверхностные состояния ультратонкого интерфейса Ва/3$C$-SiC(111)
    
    Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016),  465–469
31. Фотоэмиссионные исследования вицинальной поверхности SiC(100) 4$^\circ$ и интерфейса Cs/SiC(100) 4$^\circ$
    
    Письма в ЖТФ, 42:23 (2016),  51–57
32. Создание устойчивых зарядовых областей в массиве Ge-нанокристаллитов внутри SiO$_2$ с помощью электростатической силовой микроскопии
    
    ЖТФ, 85:5 (2015),  50–56
33. Эффект накопления и релаксации носителей заряда в активной области полимерных и композитных (полимер–наночастицы золота) полевых транзисторных структур
    
    Физика твердого тела, 56:5 (2014),  1015–1018
34. Особенности формирования наноразмерных объектов в системе InSb/InAs методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений
    
    Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  420–425
35. Вольт-амперные характеристики легированных кремнием нитевидных нанокристаллов GaAs с защитным покрытием AlGaAs, заращённых нелегированным слоем GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010),  636–641
36. Стабилизация процесса электрогидродинамического диспергирования металлов с электронно-лучевым нагревом
    
    Письма в ЖТФ, 36:7 (2010),  96–102


37. Comparative study of conventional and quasi-freestanding epitaxial graphenes grown on 4$H$-SiC substrate
    
    Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1383