Риль Алексей Игоревич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние Co и Ni на магнитные свойства и микроструктуру гексаферритов BaFe$_{12-x}$Ni$_x$O$_{19}$ и BaFe$_{12-x}$Co$_x$O$_{19}$, синтезированных гидротермальным методом
   
   ЖТФ, 95:4 (2025),  787–795
2. Синтез текстурированных пленок гексаферрита бария на кремниевых подложках с аморфным покрытием Al$_2$O$_3$|Si$_3$N$_4$
   
   Физика твердого тела, 66:11 (2024),  1928–1934
3. Влияние высокого давления на кинетические характеристики гетерогенного сплава Cd$_3$As$_2$(MnAs)$_{0.03}$
   
   Физика твердого тела, 66:5 (2024),  699–702
4. Магнитотранспортные свойства монокристаллов a"'- (Cd$_{0.5}$Zn$_{0.5}$)$_3$As$_2$, подвергнутых гидростатическому давлению
   
   Физика твердого тела, 66:1 (2024),  40–44
5. Особенность удельного сопротивления и изотермической намагниченности арсенида марганца при высоком давлении
   
   Физика твердого тела, 66:1 (2024),  3–7
6. Особенности поведения электро- и магнитосопротивления Cd$_{3}$As$_{2}$–30 mol.% MnAs при высоких давлениях
   
   Физика твердого тела, 63:8 (2021),  1146–1150
7. Спин-поляризованный электрический ток в нанокомпозите Cd$_{48.6}$Mn$_{11.4}$As$_{40}$
   
   Физика твердого тела, 63:4 (2021),  427–432
8. Намагниченность композита Cd$_{3}$As$_{2}$ + (30%)MnAs при высоком давлении
   
   ЖТФ, 91:11 (2021),  1674–1677
9. Структурные особенности текстурированных пленок оксида цинка, полученных методом ионного распыления
   
   Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021),  230–236
10. Влияние высокого давления на электрические и гальваномагнитные свойства композита Cd$_{3}$As$_{2}$–20 mol.% MnAs
    
    Физика твердого тела, 62:6 (2020),  834–838
11. Сверхпроводимость в тонких пленках дираковского полуметалла Cd$_{3}$As$_{2}$
    
    Физика твердого тела, 62:3 (2020),  369–372
12. Квантовые поправки и магнитотранспорт в пленках 3D дираковского полуметалла Cd$_{3-x}$Mn$_{x}$As$_{2}$
    
    Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1479–1484
13. Phase diagram of ZnAs₂–MnAs system
    
    Mendeleev Commun., 28:2 (2018),  219–221