RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Алигулиева Хаяла Вагиф

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Перенос заряда в твердых растворах Bi$_{0.9}$Sb$_{0.1}$, легированных Mn

    Физика твердого тела, 65:9 (2023),  1519–1526
  2. Механизм переноса заряда в новом магнитном топологическом изоляторе MnBi$_{0.5}$Sb$_{1.5}$Te$_{4}$

    Физика твердого тела, 63:8 (2021),  1062–1067
  3. Электрические и оптические свойства нерелаксированных гетероэпитаксиальных структур InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$

    Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  922–926
  4. Ангармонизм колебаний кристаллической решетки монокристаллов Bi$_{2}$Se$_{3}$

    Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  309–313
  5. Влияние легирования редкоземельными элементами (Eu, Tb, Dy) на электропроводность слоистых монокристаллов Bi$_{2}$Te$_{3}$

    Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017),  981–985
  6. Гетероэпитаксиальные структуры InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ на градиентных буферных слоях GaInSb и AlGaInSb

    Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  551–557
  7. Слабая антилокализация в тонких пленках твердого раствора Bi$_{2}$Te$_{2.7}$Se$_{0.3}$

    Физика твердого тела, 58:9 (2016),  1806–1811
  8. Низкотемпературная проводимость в монокристаллах CuGaS$_2$

    Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015),  440–443
  9. Механизм переноса заряда в тонких пленках твердых растворов Bi$_2$(Tе$_{0.9}$Se$_{0.1}$)$_3$

    Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013),  586–590
  10. Особенности механизма переноса заряда в слоистых монокристаллах Bi$_2$Te$_3$, легированных хлором и тербием

    Физика и техника полупроводников, 45:1 (2011),  38–43


© МИАН, 2026