|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Перенос заряда в твердых растворах Bi$_{0.9}$Sb$_{0.1}$, легированных Mn
Физика твердого тела, 65:9 (2023), 1519–1526
-
Механизм переноса заряда в новом магнитном топологическом изоляторе MnBi$_{0.5}$Sb$_{1.5}$Te$_{4}$
Физика твердого тела, 63:8 (2021), 1062–1067
-
Электрические и оптические свойства нерелаксированных гетероэпитаксиальных структур InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$
Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 922–926
-
Ангармонизм колебаний кристаллической решетки монокристаллов Bi$_{2}$Se$_{3}$
Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 309–313
-
Влияние легирования редкоземельными элементами (Eu, Tb, Dy) на электропроводность слоистых монокристаллов Bi$_{2}$Te$_{3}$
Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017), 981–985
-
Гетероэпитаксиальные структуры InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ на градиентных буферных слоях GaInSb и AlGaInSb
Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 551–557
-
Слабая антилокализация в тонких пленках твердого раствора Bi$_{2}$Te$_{2.7}$Se$_{0.3}$
Физика твердого тела, 58:9 (2016), 1806–1811
-
Низкотемпературная проводимость в монокристаллах CuGaS$_2$
Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015), 440–443
-
Механизм переноса заряда в тонких пленках твердых растворов Bi$_2$(Tе$_{0.9}$Se$_{0.1}$)$_3$
Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013), 586–590
-
Особенности механизма переноса заряда в слоистых монокристаллах Bi$_2$Te$_3$, легированных хлором и тербием
Физика и техника полупроводников, 45:1 (2011), 38–43
© , 2026