Нежданов Алексей Владимирович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Дисперсия показателя преломления и спектры комбинационного рассеяния света монокристалла германия, обогащенного изотопом $^{70}$Ge
   
   Оптика и спектроскопия, 133:7 (2025),  734–740
2. Оптимизация параметров кремниевого электрооптического фазовращателя, работающего на эффекте обеднения свободными носителями
   
   Физика и техника полупроводников, 59:1 (2025),  16–22
3. Исследование влияния маломодовой структуры поля на параметры $Y$-делителей фотонной интегральной схемы
   
   Письма в ЖТФ, 51:19 (2025),  19–22
4. Формирование ферромагнитного полупроводника GaMnAs ионной имплантацией: сравнение разных типов отжига
   
   Физика твердого тела, 66:10 (2024),  1686–1698
5. Влияние атомной массы и изотопной разупорядоченности на фононные спектры кристаллов изотопно-обогащенного германия
   
   Физика твердого тела, 66:8 (2024),  1425–1430
6. Влияние электрического поля на скорость гидрогенизации графена в индукционно-связанной плазме
   
   ЖТФ, 94:7 (2024),  1002–1007
7. Метаморфный InGaAs-фотодиод на длине волны 1.55 мкм, выращенный на подложке GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 58:12 (2024),  709–713
8. Ферромагнитные слои GaMnAs, полученные имплантацией ионов марганца с последующим импульсным лазерным отжигом
   
   Физика твердого тела, 65:12 (2023),  2230–2238
9. Создание ферромагнитного полупроводника GaMnAs комбинированным лазерным методом
   
   Физика твердого тела, 65:5 (2023),  754–761
10. Формирование вертикального графена на поверхности арсенид-галлиевых структур
    
    Физика твердого тела, 65:4 (2023),  669–675
11. Исследование процесса гидрогенизации одностенных углеродных нанотрубок с помощью индукционно-связанной аргон-водородной плазмы
    
    ЖТФ, 93:7 (2023),  884–891
12. InGaAs фотодиод с пониженным темновым током на диапазон 1.17–1.29 мкм с дискретным метаморфным буферным слоем
    
    Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  495–500
13. Получение и исследование свойств слоев GaAs, легированных висмутом
    
    Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  399–405
14. Изучение оптически наведенного заряда наночастиц Au в пленках ZrO$_2$(Y) методом сканирующей Кельвин-зонд микроскопии
    
    ЖТФ, 92:12 (2022),  1937–1942
15. Влияние разориентации подложки на свойства $p$-НЕМТ наногетероструктур на основе GaAs, формируемых в процессе MOCVD эпитаксии
    
    ЖТФ, 92:10 (2022),  1582–1587
16. Фотолюминесценция растянутых Ge микромостиков при различных температурах: эксперимент и моделирование
    
    Физика и техника полупроводников, 56:10 (2022),  954–960
17. Проектирование дизайна туннельно-связанных квантовых ям для создания модулятора по схеме Маха–Цендера
    
    Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  833–838
18. Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур со слоем (Ga,Mn)As
    
    Физика твердого тела, 63:9 (2021),  1245–1252
19. Воздействие импульсов эксимерного лазера на светоизлучающие InGaAs/GaAs-структуры с (Ga, Mn)As-слоем
    
    Физика твердого тела, 63:3 (2021),  346–355
20. Способ формирования пленок фазы $\beta$-FeSi$_{2}$ методом импульсного лазерного осаждения в вакууме
    
    Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  773–778
21. Легирование углеродных нанослоев, выращенных импульсным лазерным методом
    
    Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  637–643
22. Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур на основе GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1336–1343
23. Формирование углеродных слоев методом термического разложения четыреххлористого углерода в реакторе МОС-гидридной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  801–806
24. Квантовые точки “ядро–оболочка” Ge/Si в матрице оксида алюминия: влияние температуры отжига на оптические свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020),  129–137
25. Локально деформированные структуры Ge/SOI с улучшенным теплоотводом как активная среда для кремниевой оптоэлектроники
    
    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1360–1365
26. Комплексное применение спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции для диагностики многослойных гетероструктур
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1233–1236
27. Исследование нанокристаллов CsPbBr$_{3}$ и их агломератов с помощью методов комбинированной сканирующей зондовой микроскопии и оптической спектрометрии
    
    Оптика и спектроскопия, 125:6 (2018),  752–757
28. Структурная модификация фемтосекундным лазерным излучением пленок халькогенидного стекла As$_{50}$S$_{50}$, полученных методом плазмохимического осаждения из газовой фазы
    
    Оптика и спектроскопия, 124:5 (2018),  706–712
29. Формирование и исследование локально-растянутых Ge-микроструктур для кремниевой фотоники
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1331–1336
30. Модифицирование свойств ферромагнитных слоев на основе соединений A$^{3}$B$^{5}$ импульсным лазерным отжигом
    
    Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2130–2134
31. Влияние температуры осаждения и отжига на люминесценцию германиевых нанокристаллов, сформированных в пленках GeO$_{x}$ и многослойных структурах Ge/SiO$_{2}$
    
    Физика твердого тела, 59:5 (2017),  965–971
32. Применение спектроскопии фотолюминесценции для исследования поперечного скола многослойных гетероструктур
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1510–1513
33. Структура и оптические свойства нанокомпозитов серебро/полиакрилонитрил
    
    ЖТФ, 86:11 (2016),  80–85
34. Исследование поперечного скола структур методом комбинационного рассеяния света
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1561–1564
35. Условия выращивания высококачественных релаксированных слоев Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ с повышенным содержанием германия методом газофазного разложения моногермана на сублимирующей “горячей проволоке” из Si
    
    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1270–1275
36. Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и твердого раствора Si$_{1-x}$Ge$_{x}$: получение и некоторые свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  350–353
37. Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  274–278
38. Исследование $\delta$-легированных марганцем гетеронаноструктур InGaAs/GaAs методом спектроскопии комбинационного рассеяния света
    
    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  102–106
39. Термическая эволюция морфологии, структуры и оптических свойств многослойных нанопериодических систем, полученных путем вакуумного испарения SiO и SiO$_2$
    
    Физика и техника полупроводников, 47:4 (2013),  460–465
40. Особенности формирования и свойства светоизлучающих структур на основе ионно-синтезированных нанокристаллов кремния в матрицах SiO$_2$ и Al$_2$O$_3$
    
    Физика твердого тела, 54:2 (2012),  347–359
41. Эволюция оптических свойств при отжиге многослойной нанопериодической системы SiO$_x$/ZrO$_2$, содержащей нанокластеры кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  747–753
42. Морфология, электронная структура и оптические свойства самоформирующихся кремниевых наноструктур на поверхности высокоориентированного пиролитического графита
    
    Физика и техника полупроводников, 45:1 (2011),  57–61
43. Конфокальная рамановская микроскопия самоформирующихся островков GeSi/Si(001)
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1552–1558