Калентьева Ирина Леонидовна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Управление магнитными характеристиками спиновых светодиодов с магнитной системой “дельта-слой Mn–квантовая яма InGaAs/GaAs” за счет дельта-легирования акцепторной примесью
   
   Физика твердого тела, 67:7 (2025),  1348–1353
2. Магнитоуправляемый спиновый светоизлучающий диод
   
   УФН, 195:5 (2025),  543–556
3. Формирование ферромагнитного полупроводника GaMnAs ионной имплантацией: сравнение разных типов отжига
   
   Физика твердого тела, 66:10 (2024),  1686–1698
4. Магнитная анизотропия пленок Сo/Pt, приготовленных последовательным напылением слоев субатомных толщин
   
   Физика твердого тела, 66:8 (2024),  1272–1277
5. Методы модуляции микромагнитных характеристик многослойных тонкопленочных систем [Co/Pt]
   
   Физика твердого тела, 66:6 (2024),  901–905
6. Гальваномагнитные свойства слоев GaMnAs, полученных ионной имплантацией: роль энергии ионов Mn$^+$
   
   Физика твердого тела, 66:6 (2024),  871–876
7. Синтез и термоэлектрические свойства высшего силицида марганца
   
   Физика и техника полупроводников, 58:7 (2024),  376–380
8. Ферромагнитные слои GaMnAs, полученные имплантацией ионов марганца с последующим импульсным лазерным отжигом
   
   Физика твердого тела, 65:12 (2023),  2230–2238
9. Управление микромагнитной структурой многофазных тонких пленок CoPt путем варьирования толщин слоев
   
   Физика твердого тела, 65:6 (2023),  989–995
10. Создание ферромагнитного полупроводника GaMnAs комбинированным лазерным методом
    
    Физика твердого тела, 65:5 (2023),  754–761
11. Формирование скирмионных состояний в ионно-облученных тонких пленках CoPt
    
    Физика твердого тела, 64:9 (2022),  1304–1310
12. Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур со слоем (Ga,Mn)As
    
    Физика твердого тела, 63:9 (2021),  1245–1252
13. Диодные гетероструктуры с ферромагнитными узкозонными полупроводниками A$^{3}$FeB$^{5}$ разного типа проводимости
    
    Физика твердого тела, 63:7 (2021),  866–873
14. Воздействие импульсов эксимерного лазера на светоизлучающие InGaAs/GaAs-структуры с (Ga, Mn)As-слоем
    
    Физика твердого тела, 63:3 (2021),  346–355
15. Влияние ионного облучения на магнитные свойства пленок CoPt
    
    Физика твердого тела, 63:3 (2021),  324–332
16. Диодные гетероструктуры с ферромагнитным слоем (Ga, Mn)As
    
    Физика твердого тела, 62:3 (2020),  373–380
17. Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур на основе GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1336–1343
18. Модифицирование магнитных свойств сплава CoPt путем ионного облучения
    
    Физика твердого тела, 61:9 (2019),  1694–1699
19. Исследование магнитных диодов со слоем GaMnAs, изготовленным методом импульсного лазерного осаждения
    
    Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  351–358
20. Детекторы циркулярно-поляризованного излучения на основе полупроводниковых гетероструктур с барьером Шоттки CoPt
    
    Физика твердого тела, 60:11 (2018),  2236–2239
21. Влияние состава газа-носителя в процессе роста дельта-слоя Mn на электрические и магнитные свойства GaAs-структур
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1286–1290
22. Фоторезистивный детектор циркулярно-поляризованного излучения на основе МДП-структуры со слоем CoPt
    
    Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2203–2205
23. Излучающие гетероструктуры с двухслойной квантовой ямой InGaAs/GaAsSb/GaAs и ферромагнитным слоем GaMnAs
    
    Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2196–2199
24. Особенности селективного легирования марганцем GaAs структур
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1468–1472
25. Влияние термического отжига на фотолюминесценцию структур с InGaAs/GaAs квантовыми ямами и низкотемпературным $\delta$-легированным Mn слоем GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1490–1496
26. Арсенид-галлиевые структуры с подзатворным диэлектриком на основе слоев оксида алюминия
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  204–207
27. Оптические и магнитотранспортные свойства структур InGaAs/GaAsSb/GaAs, легированных магнитной примесью
    
    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1478–1483
28. Структурные и оптические свойства гетероструктур с квантовыми ямами GaAsSb, выращенных методом лазерного осаждения
    
    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  112–116
29. Исследование $\delta$-легированных марганцем гетеронаноструктур InGaAs/GaAs методом спектроскопии комбинационного рассеяния света
    
    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  102–106
30. Влияние ферромагнитного дельта-слоя Mn на излучательные свойства гетероструктур GaAsSb/GaAs и InGaAs/GaAsSb/GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 40:20 (2014),  96–103
31. Получение и свойства гетероструктур GaAsSb/GaAs, легированных магнитной примесью
    
    Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1527–1531
32. Влияние дефектообразования при встраивании $\delta$-слоя Mn на спектр фоточувствительности от квантовых ям InGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012),  194–197