Гончаров Борис Владимирович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Изготовление ультратонких сверхпроводящих пленок из NbN методом катодного распыления при температуре подложек 20$^\circ$C–120$^\circ$C
   
   ЖТФ, 95:10 (2025),  1924–1933
2. Переключения сверхпроводящих нанопроводников из NbN в нормальное состояние и обратно на высоких частотах в двухслойных структурах за счет локального нагрева
   
   ЖТФ, 95:9 (2025),  1690–1697
3. Магнетополевая характеризация физических свойств двумерного электронного газа нитридных транзисторных гетероструктур с высокой подвижностью электронов
   
   Физика и техника полупроводников, 59:2 (2025),  91–96
4. Влияние малых доз ионного облучения на сверхпроводящие свойства тонких пленок NbN
   
   Физика твердого тела, 66:6 (2024),  859–864
5. Моделирование тепловых процессов в многослойном логическом наноэлементе, состоящем из нанопроводов NbN, расположенных в различных функциональных слоях и разделенных слоем диэлектрика Al$_2$O$_3$
   
   Физика твердого тела, 65:7 (2023),  1211–1214
6. Влияние ионного облучения на свойства тонких сверхпроводящих пленок NbN
   
   Физика твердого тела, 65:7 (2023),  1118–1122
7. Двухслойные логические элементы для классических криогенных компьютеров
   
   Физика твердого тела, 64:10 (2022),  1390–1398
8. Моделирование распределения температур в функциональном наноэлементе из NbN со встроенной областью нормального металла
   
   Физика твердого тела, 64:9 (2022),  1228–1231
9. Создание элементов из NbN для логических устройств классических криокомпьютеров
   
   Физика твердого тела, 63:9 (2021),  1241–1244
10. Создание тонких пленок NbN при комнатной температуре подложки
    
    Физика твердого тела, 63:9 (2021),  1238–1240
11. Управление сверхпроводящими переходами нанопроводов с использованием затворов без гальванической связи для создания электронных устройств на основе сверхпроводников
    
    Физика твердого тела, 62:9 (2020),  1420–1427
12. Влияние интегрированных сопротивлений, созданных под действием ионного облучения, на сверхпроводящие переходы нанопроводников из нитрида ниобия
    
    ЖТФ, 90:11 (2020),  1860–1863
13. Мемристоры на основе полипараксилилена на гибких подложках
    
    Письма в ЖТФ, 45:21 (2019),  40–43