Джахангирли Закир Агасолтан оглы

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Температурные исследования спектров комбинационного рассеяния света в магнитных топологических изоляторах MnBi$_2$Te$_4$ и MnSb$_2$Te$_4$
   
   Письма в ЖЭТФ, 118:5 (2023),  361–366
2. Ab initio и экспериментальное исследование колебательных свойств In$_2$Se$_3$
   
   Физика твердого тела, 64:7 (2022),  843–846
3. Упругие постоянные и силовые константы межатомных связей соединений A$^{\mathrm{II}}$B$_2^{\mathrm{III}}$C$_4^{\mathrm{VI}}$
   
   Физика твердого тела, 64:6 (2022),  612–618
4. Расчеты из первых принципов и экспериментальное исследование методом спектральной эллипсометрии электронных свойств монокристаллов CdGa$_2$S$_4$
   
   Физика твердого тела, 64:3 (2022),  351–358
5. Динамика решетки Bi$_2$Te$_3$ и колебательные моды в рамановском рассеянии топологических изоляторов MnBi$_2$Te$_4\cdot n$(Bi$_2$Te$_3$)
   
   Письма в ЖЭТФ, 115:12 (2022),  801–808
6. Ab initio и экспериментальное исследование колебательных свойств кристаллов TlFeS$_{2}$ и TlFeSe$_{2}$
   
   Физика твердого тела, 63:10 (2021),  1637–1643
7. Механизм переноса заряда в новом магнитном топологическом изоляторе MnBi$_{0.5}$Sb$_{1.5}$Te$_{4}$
   
   Физика твердого тела, 63:8 (2021),  1062–1067
8. Ab initio и экспериментальное исследование электронных, оптических и колебательных свойств CdGa$_{2}$Te$_{4}$
   
   Физика твердого тела, 62:8 (2020),  1270–1277
9. Расчеты ab initio дисперсии фононов в CdGa$_{2}$S$_{4}$
   
   Физика твердого тела, 60:11 (2018),  2265–2269
10. Фотопорог слоистого кристалла $\alpha$-GeS: расчет из первых принципов
    
    Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  699–701
11. Расчеты из первых принципов дисперсии фононов в CdGa$_{2}$Se$_{4}$
    
    Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  585–587
12. Расчет из первых принципов фотопорога слоистого кристалла $\beta$-GaS
    
    Физика твердого тела, 58:9 (2016),  1707–1708
13. Расчеты из первых принципов дисперсии фононов в ZnGa$_{2}$Se$_{4}$
    
    Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  289–292
14. Фазовый переход второго рода в орторомбическом кристалле SnS под давлением
    
    Физика твердого тела, 57:2 (2015),  358–360
15. Влияние давления на фононные спектры и упругие свойства орторомбического GeSe
    
    Физика твердого тела, 56:4 (2014),  731–734
16. Ab initio расчет колебательных спектров орторомбических слоистых кристаллов типа $A^4B^6$
    
    Физика твердого тела, 55:9 (2013),  1691–1696
17. Исследование фононного спектра $\varepsilon$-GaSe из первых принципов
    
    Физика твердого тела, 54:7 (2012),  1380–1383
18. Исследование из первых принципов фононного спектра $\beta$-GaS
    
    Физика твердого тела, 54:5 (2012),  1024–1027