Оганесян Гагик Араратович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Фотолюминесценция, связанная с дислокациями в кремнии, пластически деформированном при изгибе центральной симметрии
   
   Физика твердого тела, 67:5 (2025),  810–816
2. Влияние протонного облучения на свойства высоковольтных интегрированных 4$H$-SiC диодов Шоттки в рабочем диапазоне температур
   
   Физика и техника полупроводников, 57:1 (2023),  53–57
3. Boron-doped silicon: a possible way of testing and refining models of non-ionizing energy loss under electron- and proton irradiation
   
   Физика твердого тела, 64:12 (2022),  1915
4. Влияние кристаллографической ориентации кремния на образование “первичных” трещин
   
   Физика твердого тела, 64:5 (2022),  560–563
5. Отжиг высоковольтных 4H-SiC диодов Шоттки, облученных электронами при высокой температуре
   
   Физика и техника полупроводников, 56:4 (2022),  441–445
6. Исследование сильно легированных эпитаксиальных пленок $n$-$3\mathrm{C}$-$\mathrm{SiC}$, выращенных методом сублимации на основе полуизолирующих подложек $6H$-$\mathrm{SiC}$
   
   Физика и техника полупроводников, 56:2 (2022),  225–228
7. “Зародышевые” трещины на поверхности кристалла кремния
   
   Физика твердого тела, 63:10 (2021),  1594–1597
8. Towards the modeling of impurity-related defects in irradiated $n$-type germanium: a challenge to theory
   
   Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020),  1188
9. Vacancy-phosphorus complexes in electron-irradiated floating-zone $n$-type silicon: new points in annealing studies
   
   Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020),  45
10. Interaction rates of group-III and group-V impurities with intrinsic point defects in irradiated Si and Ge
    
    Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1578
11. Многообразие свойств приборных структур на основе нитридов элементов III группы, связанное с модификацией фрактально-перколяционной системы
    
    Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  804–811
12. Radiation-produced defects in germanium: experimental data and models of defects
    
    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1632–1646
13. Воздействие протонного облучения с энергией 8 МэВ на гетероэпитаксиальные слои $n$-3$C$-SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1088–1090
14. Some challenging points in the identification of defects in floating-zone $n$-type silicon irradiated with 8 and 15 Mev protons
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1313–1319
15. Особенности взаимодействия протонов с транзисторными структурами с двумерным AlGaN/GaN-каналом
    
    Письма в ЖТФ, 42:21 (2016),  39–46
16. Взаимосвязь надежности AlGaN/GaN транзисторов с характером организации наноматериала
    
    Письма в ЖТФ, 42:13 (2016),  80–86
17. Electrical properties of diluted $n$- and $p$-Si$_{1-x}$Ge$_x$ at small $x$
    
    Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1592–1596
18. Vacancy-donor pairs and their formation in irradiated $n$-Si
    
    Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014),  1473–1478
19. Similarities and distinctions of defect production by fast electron and proton irradiation: moderately doped silicon and silicon carbide of $n$-type
    
    Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012),  473–481
20. Компенсация проводимости $p$-6H-SiC при облучении протонами с энергией 8 МэВ
    
    Физика и техника полупроводников, 45:9 (2011),  1188–1190
21. Исследование процесса обратного восстановления Si/Si$_{1-x}$Ge$_x$ гетеродиодов, изготовленных прямым сращиванием
    
    Письма в ЖТФ, 37:13 (2011),  83–89
22. Электрические характеристики пленок мультиграфена на подложках высокоомного карбида кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 44:10 (2010),  1436–1438
23. Сравнительное изучение изменения электрических свойств кремния и карбида кремния при облучении протонами
    
    Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010),  706–712