Яговкина Мария Александровна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Брэгговский резонанс в системе слоев плазмонных наночастиц Bi в матрице GaAs
   
   Физика твердого тела, 67:1 (2025),  39–43
2. Влияние содержания иттрия на люминесцентные свойства кубической керамики HfO$_2$–Y$_2$O$_3$–Eu$_2$O$_3$
   
   Оптика и спектроскопия, 133:1 (2025),  19–23
3. Влияние промежуточного слоя на процесс формирования и свойства наноструктурированных пленок ITO
   
   Письма в ЖТФ, 51:20 (2025),  50–54
4. Магнитные свойства бикомпонентных наночастиц CuO–CuFe$_2$O$_4$, полученных методом дугового испарения
   
   Физика твердого тела, 66:9 (2024),  1541–1545
5. Формирование квазидвумерных слоев наночастиц висмута в эпитаксиальных пленках арсенида галлия
   
   Физика твердого тела, 66:9 (2024),  1514–1519
6. Модификация структуры нанокристаллических пленок оксида индия и олова
   
   Физика и техника полупроводников, 58:6 (2024),  297–301
7. Влияние кислорода на процесс формирования наноструктурированных пленок оксида индия-олова
   
   Физика твердого тела, 65:12 (2023),  2079–2082
8. Анализ механических напряжений в гетероструктурах на основе GaN на кремниевых подложках
   
   Физика и техника полупроводников, 57:7 (2023),  546–550
9. Структура и оптические свойства композитного метаматериала AsSb–Al$_{0.6}$Ga$_{0.4}$As$_{0.97}$Sb$_{0.03}$
   
   Физика и техника полупроводников, 57:1 (2023),  71–76
10. Синтез и исследование люминесцентных свойств тантало-ниобата гадолиния, активированного тербием
    
    Оптика и спектроскопия, 130:2 (2022),  294–299
11. Поиск оптимальных условий монолитизации реакторного порошка сверхвысокомолекулярного полиэтилена
    
    Физика твердого тела, 63:11 (2021),  1942–1950
12. Низкотемпературный синтез стеклокерамики с кристаллитами YNbO$_{4}$ : Tb$^{3+}$
    
    Оптика и спектроскопия, 129:11 (2021),  1417–1423
13. Темплатный метод синтеза монодисперсных наночастиц MoS$_{2}$
    
    Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021),  475–480
14. Рост кристаллов при спонтанной кристаллизации в неинерциальных системах в условиях космической станции и в условиях Земли на примере синтеза и роста кристаллов CrSi$_{2}$ из раствора-расплава Zn
    
    Физика твердого тела, 62:1 (2020),  32–35
15. Исследования проводящих и сегнетоэлектрических свойств BZT-пленок
    
    ЖТФ, 90:12 (2020),  2159–2164
16. Synthesis and luminescent properties of gadolinium tantalum niobates Gd(Nb$_{0.9}$Ta$_{0.1})$O$_{4}$
    
    Оптика и спектроскопия, 128:2 (2020),  228
17. Structural and dynamical properties of short-period GaN/AlN superlattices: Experiment and theory
    
    Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1397
18. Молекулярно-пучковая эпитаксия двухмерных слоев GaSe на подложках GaAs(001) и GaAs(112): структурные и оптические свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1152–1158
19. Облучение протонами 4$H$-SiC фотоприемников с барьером Шоттки
    
    Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019),  856–861
20. Релаксация напряжений в кристаллах CrSi$_{2}$, выращенных в условиях невесомости из расплава Zn системы Cr–Si–Zn
    
    Письма в ЖТФ, 45:13 (2019),  52–54
21. Формирование и трансформация моноклинной и орторомбической фаз в реакторных порошках сверхвысокомолекулярного полиэтилена
    
    Физика твердого тела, 60:9 (2018),  1847–1851
22. Eu$^{3+}$ как люминесцентный зонд для исследования структуры R$_{2}$O$_{3}$-материалов (R – Y, Eu и Gd)
    
    Оптика и спектроскопия, 125:2 (2018),  180–186
23. Матричный синтез монодисперсных сферических нанокомпозитных частиц SiO$_{2}$/GaN:Eu$^{3+}$
    
    Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1000–1005
24. Optical properties of AlGaAs/GaAs resonant Bragg structure at the second quantum state
    
    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  466
25. Исследование модифицированной структуры квантового каскадного лазера
    
    Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  133–137
26. Влияние метода формирования высокоомного буферного слоя GaN на свойства гетероструктур InAlN/GaN и AlGaN/GaN с двумерным электронным газом
    
    Письма в ЖТФ, 44:13 (2018),  51–58
27. Наногетероструктуры с квантовыми точками CdTe/ZnMgSeTe для однофотонных источников, формируемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 44:6 (2018),  94–102
28. Синтез кластеров оксидов железа в мезопорах монодисперсных сферических частиц кремнезема
    
    Физика твердого тела, 59:8 (2017),  1598–1603
29. Рост микрокристаллов алмаза по механизму ориентированного присоединения при высоком давлении и температуре
    
    Письма в ЖТФ, 43:1 (2017),  21–29
30. Получение трехмерных ансамблей магнитных кластеров NiO, Co$_{3}$O$_{4}$ и NiCo$_{2}$O$_{4}$ матричным методом
    
    Физика твердого тела, 58:6 (2016),  1176–1181
31. Экспериментальное изучение циклического воздействия плазмы на вольфрам
    
    ЖТФ, 86:3 (2016),  51–57
32. Влияние параметров гетероструктур AlN/GaN/AlGaN и AlN/GaN/InAlN с двумерным электронным газом на их электрофизические свойства и характеристики транзисторов на их основе
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1401–1407
33. Эпитаксиальный рост гетероструктур GaN/AlN/InAlN для HEMT в горизонтальных МОС-гидридных реакторах различных конструкций
    
    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1263–1269
34. Наноструктурированные магнитные пленки оксидов железа, полученные методом лазерного электродиспергирования
    
    Письма в ЖТФ, 42:19 (2016),  62–69
35. Полуизолирующие эпитаксиальные слои GaN : С, полученные методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений с использованием пропана как источника углерода
    
    Письма в ЖТФ, 42:10 (2016),  85–91
36. Комплексное использование дифракционных методов при профилировании по глубине параметра кристаллической решетки и состава градиентных слоев InGaAs/GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 42:9 (2016),  40–48
37. Влияние условий выращивания на морфологию поверхности и развитие механических напряжений в слоях Al(Ga)N в процессе газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
    
    Письма в ЖТФ, 42:8 (2016),  86–93
38. Эпитаксиальные слои фторида никеля на Si(111): процессы роста и стабилизация орторомбической фазы
    
    Физика твердого тела, 57:8 (2015),  1610–1615
39. Оптические решетки экситонов в системах квантовых ям InGaN/GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  6–10
40. Резонанс Фрёлиха в системе AsSb/AlGaAs
    
    Физика твердого тела, 56:10 (2014),  1891–1895
41. Наноструктурированные халькогенидные пленки Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$, полученные методом лазерного электродиспергирования
    
    Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1607–1610
42. О зависимости эффективности A$^{\mathrm{III}}$N светодиодов синего диапазона от структурного совершенства буферных эпитаксиальных слоев GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  55–60
43. Свойства гетероструктур InGaN/GaN, сформированных с помощью прерываний роста в различных условиях
    
    Письма в ЖТФ, 40:9 (2014),  1–8
44. Резонансная брэгговская структура со сдвоенными квантовыми ямами InGaN
    
    Физика твердого тела, 55:9 (2013),  1706–1708
45. Структура наноалмазов, полученных методом лазерного синтеза
    
    Физика твердого тела, 55:8 (2013),  1633–1639
46. Исследование структуры и люминесцентных свойств сверхрешеток CdF$_2$–CaF$_2$ : Eu на Si(111)
    
    Физика твердого тела, 55:7 (2013),  1396–1402
47. Комплексная диагностика многослойных периодических систем с наноразмерными слоями на примере структур Mo/Si
    
    Физика твердого тела, 55:3 (2013),  591–601
48. Влияние отжига на время жизни неравновесных носителей заряда в GaAs, выращенном при низкой температуре
    
    Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1144–1148
49. Флюоресцентные монодисперсные сферические частицы на основе мезопористого кремнезема и родамина 6Ж
    
    Физика твердого тела, 54:6 (2012),  1220–1227
50. Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов на основе соединений A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ с высокой плотностью дислокаций
    
    Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012),  348–355
51. Расплавный синтез и структурные свойства нанокомпозитов опал–V$_2$O$_5$ и опал–VO$_2$
    
    Физика твердого тела, 53:2 (2011),  400–405
52. Исследования оптических и структурных свойств короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN для активной области светоизлучающих диодов
    
    Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  857–863