Чучева Галина Викторовна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Надежность МДП-структур на основе пленок титаната бария стронция и оксида гафния
   
   Физика твердого тела, 67:10 (2025),  1928–1931
2. О свойствах переходного слоя между кремниевой подложкой и сегнетоэлектрическим или high-k-диэлектрическим изолирующим промежутком
   
   Физика твердого тела, 67:5 (2025),  832–836
3. Влияние материала верхнего электрода на электрофизические свойства МДМ-структур на основе сегнетоэлектрических пленок
   
   Физика твердого тела, 65:6 (2023),  1060–1064
4. Формирование и исследование структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе пленок оксида гафния
   
   Физика твердого тела, 65:4 (2023),  572–576
5. Влияние легирующей примеси на пьезоэлектрические и диэлектрические свойства тонких пленок Bi$_{3.25}$La$_{0.75}$Ti$_{3-x}$A$_x$O$_{12}$ ($A$ – Мn, Zr, Nb)
   
   Физика твердого тела, 64:10 (2022),  1483–1488
6. Влияние сильного статического электрического поля и нагрева на характеристики высокочастотного импеданса структур металл–сегнетоэлектрик–полупроводник
   
   Физика твердого тела, 64:5 (2022),  556–559
7. Форма изолирующего потенциала, создаваемого сверхтонкими слоями окисла кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022),  328–334
8. Влияние буферного слоя PZT на электрофизические свойства МДМ-структур с пленкой BST
   
   Физика твердого тела, 63:11 (2021),  1895–1900
9. Слабое проявление эффекта поля в структурах металл–диэлектрик–полупроводник с сегнетоэлектрическим изолирующим слоем Ba$_{x}$Sr$_{1-x}$TiO$_{3}$
   
   Физика твердого тела, 63:11 (2021),  1887–1889
10. Устойчивые к полевым повреждениям структуры кремний-сверхтонкий окисел (42 нм)-поликремний
    
    Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021),  24–27
11. Исследования электрофизических свойств сегнетоэлектрических пленок Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO$_{3}$ в параэлектрическом состоянии
    
    Физика твердого тела, 62:8 (2020),  1226–1231
12. Создание и исследования структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе сегнетоэлектрических пленок
    
    Физика твердого тела, 62:3 (2020),  422–426
13. Электропроводность структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе сегнетоэлектрических пленок
    
    Физика твердого тела, 62:1 (2020),  121–124
14. Зависимость электрофизических характеристик структур металл–сегнетоэлектрик–полупроводник от материала верхнего электрода
    
    Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020),  1219–1223
15. Влияние температуры синтеза на микроструктуру и электрофизические свойства пленок BST 80/20
    
    Физика твердого тела, 61:10 (2019),  1948–1952
16. Особенности характеристик устойчивых к полевым повреждениям структур кремний–сверхтонкий окисел–поликремний
    
    Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  481–484
17. О природе повышения подвижности электронов в канале инверсии у границы раздела кремний-окисел после полевого воздействия
    
    Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  89–92
18. Определение параметров структур металл–диэлектрик–полупроводник со сверхтонким изолирующим слоем из высокочастотных вольт-фарадных характеристик
    
    Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  46–49
19. Влияние материала подложки на структуру и электрофизические свойства тонких пленок Ba$_{x}$Sr$_{1-x}$TiO$_{3}$
    
    Физика твердого тела, 60:5 (2018),  951–954
20. Генерация поверхностных электронных состояний на границе раздела кремний–сверхтонкий окисел в процессе полевого повреждения структур металл–окисел–полупроводник
    
    Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1185–1188
21. Оптический мониторинг процесса осаждения сегнетоэлектрических пленок
    
    Физика твердого тела, 57:7 (2015),  1354–1357
22. Кинетика роста индуцированных доменов в сегнетоэлектрических тонких пленках Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO$_3$
    
    Физика твердого тела, 57:6 (2015),  1134–1137
23. Особенности высокочастотных измерений импеданса структур металл–диэлектрик–полупроводник со сверхтонким окислом
    
    Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015),  483–488
24. Расчёт теплофизических параметров и технология формирования МПЛ СВЧ диапазона
    
    Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 13:1 (2013),  9–12
25. Вольтфарадные характеристики МДП-структур на основе сегнетоэлектрических плёнок
    
    Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 13:1 (2013),  7–9
26. Определение параметров планарных конденсаторов на основе тонкопленочных сегнетоэлектрических материалов
    
    Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 12:2 (2012),  8–11
27. Проявление избыточных центров рождения электронно-дырочных пар, возникших в результате полевого и термического стрессов и их последующей аннигиляции, в динамических вольт-амперных характеристиках Si-МОП структур со сверхтонким окислом
    
    Физика и техника полупроводников, 45:7 (2011),  974–979
28. Прямое туннелирование электронов в структурах Al–$n^+$-Si–SiO$_2$–$n$-Si в режиме нестационарного обеднения поверхности полупроводника основными носителями заряда
    
    Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010),  1050–1052


29. Фазовые изменения мультиферроидных магнитных материалов, применяемых в системах внешней памяти
    
    Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 17:1 (2017),  33–43