Гольдман Евгений Иосифович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. О свойствах переходного слоя между кремниевой подложкой и сегнетоэлектрическим или high-k-диэлектрическим изолирующим промежутком
   
   Физика твердого тела, 67:5 (2025),  832–836
2. Влияние сильного статического электрического поля и нагрева на характеристики высокочастотного импеданса структур металл–сегнетоэлектрик–полупроводник
   
   Физика твердого тела, 64:5 (2022),  556–559
3. Форма изолирующего потенциала, создаваемого сверхтонкими слоями окисла кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022),  328–334
4. Слабое проявление эффекта поля в структурах металл–диэлектрик–полупроводник с сегнетоэлектрическим изолирующим слоем Ba$_{x}$Sr$_{1-x}$TiO$_{3}$
   
   Физика твердого тела, 63:11 (2021),  1887–1889
5. Устойчивые к полевым повреждениям структуры кремний-сверхтонкий окисел (42 нм)-поликремний
   
   Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021),  24–27
6. Исследования электрофизических свойств сегнетоэлектрических пленок Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO$_{3}$ в параэлектрическом состоянии
   
   Физика твердого тела, 62:8 (2020),  1226–1231
7. Электропроводность структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе сегнетоэлектрических пленок
   
   Физика твердого тела, 62:1 (2020),  121–124
8. Особенности характеристик устойчивых к полевым повреждениям структур кремний–сверхтонкий окисел–поликремний
   
   Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  481–484
9. О природе повышения подвижности электронов в канале инверсии у границы раздела кремний-окисел после полевого воздействия
   
   Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  89–92
10. Определение параметров структур металл–диэлектрик–полупроводник со сверхтонким изолирующим слоем из высокочастотных вольт-фарадных характеристик
    
    Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  46–49
11. Генерация поверхностных электронных состояний на границе раздела кремний–сверхтонкий окисел в процессе полевого повреждения структур металл–окисел–полупроводник
    
    Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1185–1188
12. Особенности высокочастотных измерений импеданса структур металл–диэлектрик–полупроводник со сверхтонким окислом
    
    Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015),  483–488
13. Проявление избыточных центров рождения электронно-дырочных пар, возникших в результате полевого и термического стрессов и их последующей аннигиляции, в динамических вольт-амперных характеристиках Si-МОП структур со сверхтонким окислом
    
    Физика и техника полупроводников, 45:7 (2011),  974–979
14. Прямое туннелирование электронов в структурах Al–$n^+$-Si–SiO$_2$–$n$-Si в режиме нестационарного обеднения поверхности полупроводника основными носителями заряда
    
    Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010),  1050–1052
15. Термическая генерация неосновных носителей заряда у границы раздела полупроводник$-$диэлектрик через глубокий уровень в приповерхностном слое обеднения
    
    Физика и техника полупроводников, 26:12 (1992),  2048–2056
16. Определение пространственного расположения локализованных электронных состояний и границы раздела полупроводник$-$диэлектрик
    
    Физика и техника полупроводников, 26:4 (1992),  766–770