Колобов Александр Владимирович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Выяснение особенностей зонной структуры нанопластин HgTe в ультратонком пределе
   
   Физика твердого тела, 67:11 (2025),  2065–2073
2. Халькогенидные стеклообразные полупроводники в устройствах памяти и обработки информации (Обзор)
   
   Физика и техника полупроводников, 59:9 (2025),  511–539
3. Флексоэлектрический эффект в GeTe
   
   Физика твердого тела, 66:12 (2024),  2311–2316
4. Сложное поведение кристаллизации и рост ориентированных слоев аморфных нанопленок MoTe$_2$ на подложках из переходных металлов
   
   Физика твердого тела, 66:12 (2024),  2095–2098
5. Варизонность 2D слоев CdTe в фазе сфалерита и в фазе с граничными атомами халькогена
   
   Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  632–635
6. Поляризационные процессы в тонких слоях стеклообразной гибридной системы Ge$_{28.5}$Pb$_{14.0}$Fe$_{1.0}$S$_{56.5}$
   
   Физика и техника полупроводников, 56:6 (2022),  559–565
7. Гальваномагнитные свойства и термоэдс ультратонких пленок системы висмут–сурьма на подложке из слюды
   
   Физика и техника полупроводников, 56:1 (2022),  42–47
8. Влияние переходных металлов на диэлектрические свойства алмазоподобных кремний-углеродных пленок
   
   Физика твердого тела, 63:11 (2021),  1844–1851
9. Перенос заряда в тонких слоях стеклообразной гибридной системы Ge$_{28.5}$Pb$_{14.5}$Fe$_{0.5}$S$_{56.5}$
   
   Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021),  450–454
10. Поляризационные процессы в тонких слоях аморфного MoS$_{2}$, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления
    
    Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020),  461–465
11. Структурное и диэлектрическое исследование тонких аморфных слоев системы Ge–Sb–Te, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления
    
    Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020),  149–152